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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 15A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 15A（Ta），70A（Tc） 2.5W（Ta），90W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD403
  仓库库存编号：785-1101-1-ND
  别名：785-1101-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 60A 46W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7234DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7234DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7234DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 280W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP460LCPBF
  仓库库存编号：IRFP460LCPBF-ND
  别名：*IRFP460LCPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 90A TO-247
  详细描述：通孔 P 沟道 90A（Tc） 462W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH90P10P
  仓库库存编号：IXTH90P10P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 60A
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 446W（Tc） TO-247
  
  型号：STW65N65DM2AG
  仓库库存编号：497-16127-5-ND
  别名：497-16127-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 76A（Tc） 188W（Tc） D2PAK
  
  型号：NTB6410ANT4G
  仓库库存编号：NTB6410ANT4GOSCT-ND
  别名：NTB6410ANT4GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 3.75W（Ta），272W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP90N06-6M0P-E3
  仓库库存编号：SUP90N06-6M0P-E3-ND
  别名：SUP90N06-6M0P-E3CT
  SUP90N06-6M0P-E3CT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 220W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP3306PBF
  仓库库存编号：IRFP3306PBF-ND
  别名：AUXYBFP3306
  AUXYBFP3306-ND
  SP001564200
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 104A（Tc） 380W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4115PBF
  仓库库存编号：IRFB4115PBF-ND
  别名：64-0099PBF
  64-0099PBF-ND
  SP001565902
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 277W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP22N50APBF
  仓库库存编号：IRFP22N50APBF-ND
  别名：*IRFP22N50APBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 16A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 280W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPC60LCPBF
  仓库库存编号：IRFPC60LCPBF-ND
  别名：*IRFPC60LCPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 30A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 290W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA30N40
  仓库库存编号：FQA30N40-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 90A TO-268
  详细描述：表面贴装 P 沟道 90A（Tc） 462W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT90P10P
  仓库库存编号：IXTT90P10P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 35A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 255W（Tc） TO-247
  
  型号：STW47NM60ND
  仓库库存编号：497-13126-5-ND
  别名：497-13126-5
  STW47NM60ND-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 59A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF3710ZPBF
  仓库库存编号：IRF3710ZPBF-ND
  别名：*IRF3710ZPBF
  SP001564400
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 97A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4410ZPBF
  仓库库存编号：IRFB4410ZPBF-ND
  别名：SP001564008
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 900V 4.7A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 4.7A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPF40PBF
  仓库库存编号：IRFPF40PBF-ND
  别名：*IRFPF40PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 4.3A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPG40PBF
  仓库库存编号：IRFPG40PBF-ND
  别名：*IRFPG40PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS3306TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS3306TRLPBFCT-ND
  别名：IRFS3306TRLPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 60V 160A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB3306GPBF
  仓库库存编号：IRFB3306GPBF-ND
  别名：SP001555952
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 80V 120A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：STP170N8F7
  仓库库存编号：497-16008-5-ND
  别名：497-16008-5
  STP170N8F7-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 100V 97A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 97A（Tc） 230W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL4410ZPBF
  仓库库存编号：IRFSL4410ZPBF-ND
  别名：SP001557638
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 104A（Tc） 380W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4115GPBF
  仓库库存编号：IRFB4115GPBF-ND
  别名：SP001572390
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 600V 28A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP28N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHP28N60EF-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 28A FULLPAK220
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 39W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF28N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHF28N60EF-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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