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STMicroelectronics
MOSFET N CH 55V 110A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 150W(Tc) TO-220
型号:
STP110N55F6
仓库库存编号:
497-13552-5-ND
别名:497-13552-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
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IXYS
120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 517W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP110N12T2
仓库库存编号:
IXTP110N12T2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
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IXYS
120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 517W(Tc) TO-263AA
型号:
IXTA110N12T2
仓库库存编号:
IXTA110N12T2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 167W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP023N04NGXKSA1
仓库库存编号:
IPP023N04NGXKSA1-ND
别名:IPP023N04N G
IPP023N04N G-ND
IPP023N04NGBKSA1
SP000680762
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 59A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRF3710Z
仓库库存编号:
AUIRF3710Z-ND
别名:SP001522092
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 202W(Tc) PowerPAK? 8 x 8
型号:
SIHH26N60EF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIHH26N60EF-T1-GE3CT-ND
别名:SIHH26N60EF-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 140A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB020N04N G
仓库库存编号:
IPB020N04N GCT-ND
别名:IPB020N04N GCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 272W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7C06-40AITE,118
仓库库存编号:
1727-7175-1-ND
别名:1727-7175-1
568-9660-1
568-9660-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Tc) 250W(Tc) D2PAK
型号:
SIHB28N60EF-GE3
仓库库存编号:
SIHB28N60EF-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM70040E-GE3
仓库库存编号:
SUM70040E-GE3CT-ND
别名:SUM70040E-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP70040E-GE3
仓库库存编号:
SUP70040E-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 66A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 66A(Tc) 446W(Tc) TO-247 长引线
型号:
STWA70N60DM2
仓库库存编号:
STWA70N60DM2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 85A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 85A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM85N15-19_GE3
仓库库存编号:
SQM85N15-19_GE3-ND
别名:SQM85N15-19-GE3
SQM85N15-19-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 76A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 76A(Tc) 188W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP6410ANG
仓库库存编号:
NTP6410ANG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 40A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Ta),287A(Tc) 3.9W(Ta),200W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C604NLT3G
仓库库存编号:
NVMFS5C604NLT3G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 46A DFN5
详细描述:表面贴装 N 沟道 46A(Ta),330A(Tc) 3.3W(Ta), 160W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS5H400NLT1G
仓库库存编号:
NTMFS5H400NLT1GOSCT-ND
别名:NTMFS5H400NLT1GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 40A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Ta),287A(Tc) 3.9W(Ta),200W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C604NLWFT3G
仓库库存编号:
NVMFS5C604NLWFT3G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 40A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Ta),287A(Tc) 3.9W(Ta),200W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C604NLT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C604NLT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 40A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Ta),287A(Tc) 3.9W(Ta),200W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C604NLWFT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C604NLWFT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 76A(Tc) 188W(Tc) D2PAK
型号:
NVB6410ANT4G
仓库库存编号:
NVB6410ANT4G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 14A(Tc) 500W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT14M100B
仓库库存编号:
APT14M100B-ND
别名:APT14M100BMP
APT14M100BMP-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 14A(Tc) 500W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT14F100B
仓库库存编号:
APT14F100B-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 14A(Tc) 500W(Tc) D3Pak
型号:
APT14M100S
仓库库存编号:
APT14M100S-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 500V 17A(Tc) 220W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB18N50K
仓库库存编号:
IRFB18N50K-ND
别名:*IRFB18N50K
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 14A(Tc) 500W(Tc) D3Pak
型号:
APT14F100S
仓库库存编号:
APT14F100S-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
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