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• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 57A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 57A（Tc） 190W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXTR90P10P
  仓库库存编号：IXTR90P10P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 16A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1200V 16A（Tc） 660W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT16N120P
  仓库库存编号：IXFT16N120P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 20A（Tc） 280W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP460LC
  仓库库存编号：IRFP460LC-ND
  别名：*IRFP460LC
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 9A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 9A（Tc） 230W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR16N120P
  仓库库存编号：IXFR16N120P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 260W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF8010STRLPBF
  仓库库存编号：IRF8010STRLPBFCT-ND
  别名：IRF8010STRLPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 59A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRF3710ZSTRL
  仓库库存编号：AUIRF3710ZSTRL-ND
  别名：SP001519476
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 97A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 97A（Tc） 230W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP4410ZPBF
  仓库库存编号：IRFP4410ZPBF-ND
  别名：SP001566138
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 19A（Ta），114A（Tc） 3.3W（Ta），100W（Tc） DIRECTFET L8
  
  型号：AUIRF7669L2TR
  仓库库存编号：AUIRF7669L2TRCT-ND
  别名：AUIRF7669L2TRCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 99A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 99A（Tc） 375W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRFS4115
  仓库库存编号：AUIRFS4115-ND
  别名：SP001520256
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 150V 99A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 99A（Tc） 375W（Tc） TO-262
  
  型号：AUIRFSL4115
  仓库库存编号：AUIRFSL4115-ND
  别名：SP001518794
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 99A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 99A（Tc） 375W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRFS4115TRL
  仓库库存编号：AUIRFS4115TRL-ND
  别名：SP001518088
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 45A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 45A（Tc） 417W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW45NM50FD
  仓库库存编号：497-2718-5-ND
  别名：497-2718-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 13A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 13A（Tc） 180W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH13N50
  仓库库存编号：IXFH13N50-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 22A（Tc） 277W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP22N50A
  仓库库存编号：IRFP22N50A-ND
  别名：*IRFP22N50A
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 16A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Tc） 280W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPC60LC
  仓库库存编号：IRFPC60LC-ND
  别名：*IRFPC60LC
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 900V 4.7A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 4.7A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPF40
  仓库库存编号：IRFPF40-ND
  别名：*IRFPF40
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 4.3A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPG40
  仓库库存编号：IRFPG40-ND
  别名：*IRFPG40
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 32A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 32A（Tc） 180W（Tc） TO-247
  
  型号：MTW32N20E
  仓库库存编号：MTW32N20EOS-ND
  别名：MTW32N20EOS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 32A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 32A（Tc） 180W（Tc） TO-247
  
  型号：MTW32N20EG
  仓库库存编号：MTW32N20EGOS-ND
  别名：MTW32N20EGOS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 24A（Tc） 290W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA24N50
  仓库库存编号：FQA24N50-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 38.4A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 38.4A（Tc） 290W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA38N30
  仓库库存编号：FQA38N30-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 24A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 24A（Tc） 290W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA24N50F
  仓库库存编号：FQA24N50F-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 15A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 15A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4447
  仓库库存编号：785-1034-1-ND
  别名：785-1034-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 150W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP3205
  仓库库存编号：FDP3205-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 40A（Tc） 5W（Ta），48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR888DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR888DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR888DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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