以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 140W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXFC13N50
  仓库库存编号：IXFC13N50-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 140W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXTC13N50
  仓库库存编号：IXTC13N50-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） D2PAK
  
  型号：NTB6448ANG
  仓库库存编号：NTB6448ANG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） D2PAK
  
  型号：NTB6448ANT4G
  仓库库存编号：NTB6448ANT4G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 80A（Tc） TO-220AB
  
  型号：NTP6448ANG
  仓库库存编号：NTP6448ANG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 24A（Tc） 290W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA24N50F_F109
  仓库库存编号：FQA24N50F_F109-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 24A（Tc） 290W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA24N50_F109
  仓库库存编号：FQA24N50_F109-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 3.75W（Ta），272W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM90N06-5M5P-E3
  仓库库存编号：SUM90N06-5M5P-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 85A（Tc） 3.75W（Ta），227W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP85N10-10P-GE3
  仓库库存编号：SUP85N10-10P-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 1.8W（Ta），176W（Tc） TO-263
  
  型号：NP100N04PUK-E1-AY
  仓库库存编号：NP100N04PUK-E1-AY-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 1.8W（Ta），176W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：NP100N055PUK-E1-AY
  仓库库存编号：NP100N055PUK-E1-AY-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 90A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 90A（Tc） 1.8W（Ta），176W（Tc） TO-220
  
  型号：NP90N04MUK-S18-AY
  仓库库存编号：NP90N04MUK-S18-AY-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 90A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 90A（Tc） 1.8W（Ta），176W（Tc） TO-262
  
  型号：NP90N04NUK-S18-AY
  仓库库存编号：NP90N04NUK-S18-AY-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 90A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 90A（Tc） 1.8W（Ta），176W（Tc） TO-220-3
  
  型号：NP90N055MUK-S18-AY
  仓库库存编号：NP90N055MUK-S18-AY-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 90A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 90A（Tc） 1.8W（Ta），176W（Tc） TO-262-3
  
  型号：NP90N055NUK-S18-AY
  仓库库存编号：NP90N055NUK-S18-AY-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 250V 65A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 65A（Ta） 200W（Tc） TO-3P
  
  型号：RJK2511DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJK2511DPK-00#T0-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 19A（Tc） 500W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT18M80S
  仓库库存编号：APT18M80S-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-204AE（TO-3）
  
  型号：JAN2N6770
  仓库库存编号：JAN2N6770-ND
  别名：JAN2N6770-MIL
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-254AA
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
  
  型号：JAN2N6770T1
  仓库库存编号：JAN2N6770T1-ND
  别名：JAN2N6770T1-MIL
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-254AA
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
  
  型号：JAN2N7228
  仓库库存编号：JAN2N7228-ND
  别名：JAN2N7228-MIL
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-267AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-267AB
  
  型号：JAN2N7228U
  仓库库存编号：JAN2N7228U-ND
  别名：JAN2N7228U-MIL
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
  
  型号：JANTX2N6770
  仓库库存编号：JANTX2N6770-ND
  别名：JANTX2N6770-MIL
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-254AA
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
  
  型号：JANTX2N6770T1
  仓库库存编号：JANTX2N6770T1-ND
  别名：JANTX2N6770T1-MIL
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
  
  型号：JANTX2N7228
  仓库库存编号：JANTX2N7228-ND
  别名：JANTX2N7228-MIL
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-267AB
  
  型号：JANTX2N7228U
  仓库库存编号：JANTX2N7228U-ND
  别名：JANTX2N7228U-MIL
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
• 含铅
• 搜索