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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH
详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-204AE（TO-3）
型号：
JANTXV2N6770
仓库库存编号：
JANTXV2N6770-ND
别名：JANTXV2N6770-MIL
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH
详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
JANTXV2N6770T1
仓库库存编号：
JANTXV2N6770T1-ND
别名：JANTXV2N6770T1-MIL
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH
详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
JANTXV2N7228
仓库库存编号：
JANTXV2N7228-ND
别名：JANTXV2N7228-MIL
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-267AB
型号：
JANTXV2N7228U
仓库库存编号：
JANTXV2N7228U-ND
别名：JANTXV2N7228U-MIL
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V TO-254AA
详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
2N7228
仓库库存编号：
2N7228-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V SMD1
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-267AB
型号：
2N7228U
仓库库存编号：
2N7228U-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 12A TO-204AE
详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
型号：
2N6770
仓库库存编号：
2N6770-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
含铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 85A 8-DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Ta），85A（Tc） 7.4W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6544
仓库库存编号：
785-1627-1-ND
别名：785-1627-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 12A TO-254AA
详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Ta） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
2N6770T1
仓库库存编号：
2N6770T1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
含铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 15A TO252
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 15A（Ta），70A（Tc） 2.5W（Ta），90W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD403L
仓库库存编号：
AOD403L-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 100V 24A（Tc） 56W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRFI1310N
仓库库存编号：
IRFI1310N-ND
别名：*IRFI1310N
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 85A（Tc） 180W（Tc） D2PAK
型号：
94-4796
仓库库存编号：
94-4796-ND
别名：*IRF1010NS
IRF1010NS
IRF1010NS-ND
SP001516322
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 85A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 85A（Tc） 180W（Tc） TO-262
型号：
IRF1010NL
仓库库存编号：
IRF1010NL-ND
别名：*IRF1010NL
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 85A（Tc） 180W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1010NSTRL
仓库库存编号：
IRF1010NSTRL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 85A（Tc） 180W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1010NSTRR
仓库库存编号：
IRF1010NSTRR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 174A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 174A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1302S
仓库库存编号：
IRF1302S-ND
别名：*IRF1302S
Q1432949
SP001569922
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 12A TO-3-3
详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 150W（Tc） TO-204AA（TO-3）
型号：
IRF450
仓库库存编号：
IRF450-ND
别名：*IRF450
Q2009037
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 85A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 85A（Tc） 180W（Tc） TO-262
型号：
IRF1010NLPBF
仓库库存编号：
IRF1010NLPBF-ND
别名：*IRF1010NLPBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V SOT96-1
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4420DY,518
仓库库存编号：
SI4420DY,518-ND
别名：934056381518
SI4420DY /T3
SI4420DY /T3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 195A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 150V 195A（Tc） 375W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL4115PBF
仓库库存编号：
IRFSL4115PBF-ND
别名：SP001573516
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），250W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH5300TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5300TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5300TR2PBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB023N04NGATMA1
仓库库存编号：
IPB023N04NGATMA1CT-ND
别名：IPB023N04N GCT
IPB023N04N GCT-ND
IPB023N04NG
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 97A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRFS4410Z
仓库库存编号：
AUIRFS4410Z-ND
别名：SP001520704
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 59A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF3710ZGPBF
仓库库存编号：
IRF3710ZGPBF-ND
别名：SP001564604
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 160A（Tc） 230W（Tc）
型号：
64-0055PBF
仓库库存编号：
64-0055PBF-ND
别名：SP001553580
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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