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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 294W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB7534PBF
  仓库库存编号：IRFB7534PBF-ND
  别名：SP001554650
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 279nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 195A（Tc） 294W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：IRFS7534TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS7534TRLPBFCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 279nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 100V 300A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 300A（Tc） 1500W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB300N10P
  仓库库存编号：IXFB300N10P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 279nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 100V 295A（Tc） 1070W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN300N10P
  仓库库存编号：IXFN300N10P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 279nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 195A（Tc） 294W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL7534PBF
  仓库库存编号：IRFSL7534PBF-ND
  别名：SP001568208
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 279nC @ 10V,
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