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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 27A（Ta） 88.2W（Tc） D2PAK
型号：
NTB27N06LT4
仓库库存编号：
NTB27N06LT4OS-ND
别名：NTB27N06LT4OS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 20A（Ta） 1.36W（Ta），60W（Tj） DPAK-3
型号：
NTD20N06LT4
仓库库存编号：
NTD20N06LT4OS-ND
别名：NTD20N06LT4OS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 27A（Ta） 88.2W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP27N06L
仓库库存编号：
NTP27N06LOS-ND
别名：NTP27N06LOS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 30A（Ta） 88.2W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP30N06L
仓库库存编号：
NTP30N06LOS-ND
别名：NTP30N06LOS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 5V,
含铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 45A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 45A（Ta） 2.4W（Ta），125W（Tj） TO-220AB
型号：
NTP45N06L
仓库库存编号：
NTP45N06LOS-ND
别名：NTP45N06LOS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 5V,
含铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 60V 20A（Ta） 1.36W（Ta），60W（Tj） I-Pak
型号：
NTD20N06L-001
仓库库存编号：
NTD20N06L-001OS-ND
别名：NTD20N06L-001OS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 5V,
含铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Ta） 88.2W（Tc） D2PAK
型号：
NTB30N06LT4G
仓库库存编号：
NTB30N06LT4GOS-ND
别名：NTB30N06LT4GOS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 30A（Ta） 88.2W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP30N06LG
仓库库存编号：
NTP30N06LGOS-ND
别名：NTP30N06LGOS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 45A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 45A（Ta） 2.4W（Ta），125W（Tj） TO-220AB
型号：
NTP45N06LG
仓库库存编号：
NTP45N06LGOS-ND
别名：NTP45N06LGOS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 9.5A（Ta），50A（Tc） 125W（Tc） TO-252AA
型号：
FDD14AN06LA0
仓库库存编号：
FDD14AN06LA0-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 32.6A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 60V 32.6A（Tc） 47W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF50N06L
仓库库存编号：
FQPF50N06L-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 52.4A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 60V 52.4A（Tc） 3.75W（Ta），121W（Tc） I2PAK
型号：
FQI50N06LTU
仓库库存编号：
FQI50N06LTU-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Ta） 88.2W（Tc） D2PAK
型号：
NTB30N06L
仓库库存编号：
NTB30N06L-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Ta） 88.2W（Tc） D2PAK
型号：
NTB30N06LG
仓库库存编号：
NTB30N06LG-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 60V 20A（Ta） 1.36W（Ta），60W（Tj） I-Pak
型号：
NTD20N06L-1G
仓库库存编号：
NTD20N06L-1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 24A（Ta） 1.36W（Ta），62.5W（Tj） DPAK
型号：
NTD24N06L
仓库库存编号：
NTD24N06L-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 60V 24A（Ta） 1.36W（Ta），62.5W（Tj） I-Pak
型号：
NTD24N06L-001
仓库库存编号：
NTD24N06L-001-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 60V 24A（Ta） 1.36W（Ta），62.5W（Tj） I-Pak
型号：
NTD24N06L-1G
仓库库存编号：
NTD24N06L-1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 8V 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
型号：
SIA417DJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA417DJ-T1-GE3CT-ND
别名：SIA417DJ-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 40A SOP-8 ADV
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 40A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPCA8011-H(TE12LQM
仓库库存编号：
TPCA8011-H(TE12LQM-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 25V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI04N03LA
仓库库存编号：
IPI04N03LAIN-ND
别名：IPI04N03LAIN
IPI04N03LAX
IPI04N03LAX-ND
SP000014355
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 25V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP04N03LA
仓库库存编号：
IPP04N03LAIN-ND
别名：IPP04N03LAIN
IPP04N03LAX
IPP04N03LAXTIN
IPP04N03LAXTIN-ND
SP000014353
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB04N03LA G
仓库库存编号：
IPB04N03LAGINCT-ND
别名：IPB04N03LAG
IPB04N03LAGINCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 5V,
无铅
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