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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 16V 12A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 16V 12A(Ta),76A(Tc) 1.3W(Ta),52W(Tc) I-Pak
型号:
NTD3808N-1G
仓库库存编号:
NTD3808N-1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 16V 12A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 16V 12A(Ta),76A(Tc) 1.3W(Ta),52W(Tc) I-Pak
型号:
NTD3808N-35G
仓库库存编号:
NTD3808N-35G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 16V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 16V 12A(Ta),76A(Tc) 1.3W(Ta),52W(Tc) DPAK
型号:
NTD3808NT4G
仓库库存编号:
NTD3808NT4G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 8V 4.6A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 8V 4.6A(Ta) 970mW(Ta) 6-TSOP
型号:
NTGS1135PT1G
仓库库存编号:
NTGS1135PT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 40V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 18A(Ta) 2.19W(Ta) TO-252-3
型号:
DMN4009LK3-13
仓库库存编号:
DMN4009LK3-13DICT-ND
别名:DMN4009LK3-13DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 9.3A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9.3A 1.3W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4944DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4944DY-T1-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 8V 5.2A(Ta) 1.3W(Ta) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5445BDC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5445BDC-T1-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7840BDP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7840BDP-T1-E3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 3.6A(Ta) 1.47W(Ta) 4-Microfoot
型号:
SI8405DB-T1-E3
仓库库存编号:
SI8405DB-T1-E3-ND
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