品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 126nC @ 10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 50A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-5
型号:
SPD50P03L G
仓库库存编号:
SPD50P03LGINCT-ND
别名:SPD50P03LGINCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 126nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 87A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 87A(Tc) 140W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
IRFR7740TRPBF
仓库库存编号:
IRFR7740TRPBFCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 126nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 41A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),96W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC009NE2LS
仓库库存编号:
BSC009NE2LSCT-ND
别名:BSC009NE2LSCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 126nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 89A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 87A(Tc) 140W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
IRFR7740PBF
仓库库存编号:
IRFR7740PBF-ND
别名:SP001571546
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 126nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 75V 87A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 75V 87A(Tc) 140W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU7740PBF
仓库库存编号:
IRFU7740PBF-ND
别名:SP001573600
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 126nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 214W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP070N06L G
仓库库存编号:
IPP070N06LGIN-ND
别名:IPP070N06L G-ND
IPP070N06LGIN
IPP070N06LGX
IPP070N06LGXK
SP000204171
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 126nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB070N06L G
仓库库存编号:
IPB070N06LGINCT-ND
别名:IPB070N06LG
IPB070N06LGINCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 126nC @ 10V,
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