规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 4.5V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V/20V 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V, 20V 9.3A, 5.6A 1W Surface Mount 8-SO
型号:
FDS4501H
仓库库存编号:
FDS4501HFSCT-ND
别名:FDS4501HFSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 7.8A 6-MICROFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.8A(Ta) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDMA510PZ
仓库库存编号:
FDMA510PZCT-ND
别名:FDMA510PZCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2.5W Surface Mount 6-CSP (1.77x3.54)
型号:
EFC6612R-TF
仓库库存编号:
EFC6612R-TF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 89A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.3A(Ta),89A(Tc) 1.33W(Ta),60W(Tc) DPAK
型号:
NVD4856NT4G-VF01
仓库库存编号:
NVD4856NT4G-VF01-ND
别名:NVD4856NT4G
NVD4856NT4G-ND
NVD5863NLT4G-VF01
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2.5W Surface Mount 6-CSP (1.77x3.54)
型号:
EFC6612R-A-TF
仓库库存编号:
EFC6612R-A-TF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 13.3A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 13.3A(Ta),89A(Tc) 1.33W(Ta),60W(Tc) I-Pak
型号:
NTD4856N-1G
仓库库存编号:
NTD4856N-1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 13.3A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 13.3A(Ta),89A(Tc) 1.33W(Ta),60W(Tc) I-Pak
型号:
NTD4856N-35G
仓库库存编号:
NTD4856N-35G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 13.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 13.3A(Ta),89A(Tc) 1.33W(Ta),60W(Tc) DPAK
型号:
NTD4856NT4G
仓库库存编号:
NTD4856NT4G-ND
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