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• Texas Instruments
  MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 25A 6W Surface Mount 5-PTAB (3x2.5)
  
  型号：CSD87588N
  仓库库存编号：296-35792-1-ND
  别名：296-35792-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.1nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 840mW Surface Mount TSOT-26
  
  型号：DMN3135LVT-7
  仓库库存编号：DMN3135LVT-7DICT-ND
  别名：DMN3135LVT-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.1nC @ 4.5V,
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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.2A（Ta） 1W（Ta） 6-DSBGA（1x1.5）
  
  型号：CSD25211W1015
  仓库库存编号：296-36578-1-ND
  别名：296-36578-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.1nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.6A（Tc） 1W（Ta），1.7W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2309CDS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2309CDS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2309CDS-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.1nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 1W（Ta） TSMT3
  
  型号：RTR020N05TL
  仓库库存编号：RTR020N05TLCT-ND
  别名：RTR020N05TLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.1nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.6A（Tc） 1W（Ta），1.7W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2309CDS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2309CDS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2309CDS-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.1nC @ 4.5V,
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• Texas Instruments
  MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 25A 6W Surface Mount 5-PTAB (5x3.5)
  
  型号：CSD87588NT
  仓库库存编号：296-37753-1-ND
  别名：296-37753-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.1nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM240N03CX RFG
  仓库库存编号：TSM240N03CX RFGTR-ND
  别名：TSM240N03CX RFGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.1nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM240N03CX RFG
  仓库库存编号：TSM240N03CX RFGCT-ND
  别名：TSM240N03CX RFGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.1nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM240N03CX RFG
  仓库库存编号：TSM240N03CX RFGDKR-ND
  别名：TSM240N03CX RFGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.1nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-26
  
  型号：TSM240N03CX6 RFG
  仓库库存编号：TSM240N03CX6 RFGTR-ND
  别名：TSM240N03CX6 RFGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.1nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-26
  
  型号：TSM240N03CX6 RFG
  仓库库存编号：TSM240N03CX6 RFGCT-ND
  别名：TSM240N03CX6 RFGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.1nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-26
  
  型号：TSM240N03CX6 RFG
  仓库库存编号：TSM240N03CX6 RFGDKR-ND
  别名：TSM240N03CX6 RFGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.1nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 21W（Tc） 8-PDFN（3x3）
  
  型号：TSM180N03PQ33 RGG
  仓库库存编号：TSM180N03PQ33 RGGTR-ND
  别名：TSM180N03PQ33 RGGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.1nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 21W（Tc） 8-PDFN（3x3）
  
  型号：TSM180N03PQ33 RGG
  仓库库存编号：TSM180N03PQ33 RGGCT-ND
  别名：TSM180N03PQ33 RGGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.1nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 21W（Tc） 8-PDFN（3x3）
  
  型号：TSM180N03PQ33 RGG
  仓库库存编号：TSM180N03PQ33 RGGDKR-ND
  别名：TSM180N03PQ33 RGGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.1nC @ 4.5V,
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