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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Ta） 3.1W（Ta），69W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD3860
  仓库库存编号：FDD3860CT-ND
  别名：FDD3860CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 75A U8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），75A（Tc） 820mW（Ta）, 33W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS4C05NTAG
  仓库库存编号：NTTFS4C05NTAGOSCT-ND
  别名：NTTFS4C05NTAGOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 60W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD20NF06T4
  仓库库存编号：497-6561-1-ND
  别名：497-6561-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 60V 22A 8-SOP ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH7R506NH,L1Q
  仓库库存编号：TPH7R506NHL1QCT-ND
  别名：TPH7R506NHL1QCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 63A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 63A（Tc） 107W（Tc） TO-220AB
  
  型号：NTP5864NG
  仓库库存编号：NTP5864NGOS-ND
  别名：NTP5864NG-ND
  NTP5864NGOS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD200N15N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD200N15N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD200N15N3GATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 125W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC190N15NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC190N15NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC190N15NS3 GCT
  BSC190N15NS3 GCT-ND
  BSC190N15NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB200N15N3 G
  仓库库存编号：IPB200N15N3 GCT-ND
  别名：IPB200N15N3 GCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 100V
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 10.4A 2.2W Surface Mount 8-Power 5x6
  
  型号：FDMD85100
  仓库库存编号：FDMD85100CT-ND
  别名：FDMD85100CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 15A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF18N65M5
  仓库库存编号：497-13100-5-ND
  别名：497-13100-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），58A（Tc） 55W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD8880
  仓库库存编号：FDD8880CT-ND
  别名：FDD8880CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP200N15N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP200N15N3GXKSA1-ND
  别名：IPP200N15N3 G
  IPP200N15N3 G-ND
  IPP200N15N3G
  SP000680884
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 650V 15A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 110W（Tc） TO-247
  
  型号：STW18N65M5
  仓库库存编号：497-13283-5-ND
  别名：497-13283-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD25CN10NGATMA1
  仓库库存编号：IPD25CN10NGATMA1CT-ND
  别名：IPD25CN10NGATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15.9A（Tc） 126W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL60R255P6AUMA1
  仓库库存编号：IPL60R255P6AUMA1CT-ND
  别名：IPL60R255P6AUMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 90W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB16N65M5
  仓库库存编号：497-11235-1-ND
  别名：497-11235-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 550V 13A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF18N55M5
  仓库库存编号：497-11324-5-ND
  别名：497-11324-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 15A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 110W（Tc） TO-220
  
  型号：STP18N65M5
  仓库库存编号：497-13109-5-ND
  别名：497-13109-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 90W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI16N65M5
  仓库库存编号：497-11327-5-ND
  别名：497-11327-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 650V 15A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 110W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI18N65M5
  仓库库存编号：497-13272-5-ND
  别名：497-13272-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 18A PT8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），22A（Tc） 2.5W（Ta），36W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS0312AS
  仓库库存编号：FDMS0312ASCT-ND
  别名：FDMS0312ASCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 10.2A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.2A（Ta），70A（Tc） 920mW（Ta），43W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4937NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4937NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS4937NT1GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），22A（Tc） 2.5W（Ta），36W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS8027S
  仓库库存编号：FDMS8027SCT-ND
  别名：FDMS8027SCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.2A（Ta），44A（Tc） 120W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB3672_F085
  仓库库存编号：FDB3672_F085CT-ND
  别名：FDB3672_F085CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP50R299CPXKSA1
  仓库库存编号：IPP50R299CPXKSA1-ND
  别名：IPP50R299CP
  IPP50R299CPIN
  IPP50R299CPIN-ND
  IPP50R299CPXK
  SP000680938
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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