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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.8A（Tc） 3.13W（Ta），158W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB6N80TM
  仓库库存编号：FQB6N80TMCT-ND
  别名：FQB6N80TMCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 3.3A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 3.3A（Tc） 51W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF6N80T
  仓库库存编号：FQPF6N80TFS-ND
  别名：FQPF6N80T-ND
  FQPF6N80TFS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 12.5A PWRFLAT88
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Ta），12.5A（Tc） 2.8W（Ta），90W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
  
  型号：STL19N65M5
  仓库库存编号：497-14538-1-ND
  别名：497-14538-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 15A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB18N65M5
  仓库库存编号：497-13083-1-ND
  别名：497-13083-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V POWERFLAT5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 57W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL18N65M5
  仓库库存编号：497-13967-1-ND
  别名：497-13967-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V HV POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 3W（Ta），90W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
  
  型号：STL16N65M5
  仓库库存编号：497-12270-1-ND
  别名：497-12270-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 550V 2.4A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.4A（Ta），13A（Tc） 3W（Ta），90W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
  
  型号：STL18N55M5
  仓库库存编号：497-12979-1-ND
  别名：497-12979-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD50N03S4L06ATMA1
  仓库库存编号：IPD50N03S4L06ATMA1CT-ND
  别名：IPD50N03S4L06ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 18A 5X6 PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），90A（Tc） 3.6W（Ta），54W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH8324TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH8324TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH8324TR2PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 75A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 105W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y07-30B,115
  仓库库存编号：1727-4600-1-ND
  别名：1727-4600-1
  568-5510-1
  568-5510-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP055N03LGXKSA1
  仓库库存编号：IPP055N03LGXKSA1-ND
  别名：IPP055N03L G
  IPP055N03LGIN
  IPP055N03LGIN-ND
  IPP055N03LGXK
  SP000680806
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 3.6A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBC30PBF
  仓库库存编号：IRFBC30PBF-ND
  别名：*IRFBC30PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 3.5A（Tc） 135W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT1204R7BFLLG
  仓库库存编号：APT1204R7BFLLG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 4A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：SPP04N80C3
  仓库库存编号：SPP04N80C3IN-ND
  别名：SP000013706
  SP000683152
  SPP04N80C3IN
  SPP04N80C3X
  SPP04N80C3XK
  SPP04N80C3XKSA1
  SPP04N80C3XTIN
  SPP04N80C3XTIN-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 16.8A（Tc） 126W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R230P6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R230P6XKSA1-ND
  别名：SP001017064
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 30A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP36NF06
  仓库库存编号：497-3186-5-ND
  别名：497-3186-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
  详细描述：通孔 N 沟道 16.8A（Tc） 33W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R230P6XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R230P6XKSA1-ND
  别名：SP001017078
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 33.8W（Tc） TO-220
  
  型号：TSM60NB190CZ C0G
  仓库库存编号：TSM60NB190CZ C0G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 5.7A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA80R1K0CEXKSA2
  仓库库存编号：IPA80R1K0CEXKSA2-ND
  别名：SP001313392
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 4A 3TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD04N80C3ATMA1
  仓库库存编号：SPD04N80C3ATMA1CT-ND
  别名：SPD04N80C3ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.7A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD80R1K0CEATMA1
  仓库库存编号：IPD80R1K0CEATMA1CT-ND
  别名：IPD80R1K0CEATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 12A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI50R299CPXKSA1
  仓库库存编号：IPI50R299CPXKSA1-ND
  别名：IPI50R299CP
  IPI50R299CP-ND
  SP000523748
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 16.8A（Tc） 126W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R230P6FKSA1
  仓库库存编号：IPW60R230P6FKSA1-ND
  别名：SP001017088
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 550V 13A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 110W（Tc） DPAK
  
  型号：STD18N55M5
  仓库库存编号：497-10955-1-ND
  别名：497-10955-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 15A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 110W（Tc） DPAK
  
  型号：STD18N65M5
  仓库库存编号：497-13088-1-ND
  别名：497-13088-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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