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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 4.8W（Ta），41.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR426DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR426DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR426DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 40V 10A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 40V 10A, 9.2A 3.1W, 3.2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4564DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4564DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4564DY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 57W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD30N10S3L34ATMA1
  仓库库存编号：IPD30N10S3L34ATMA1CT-ND
  别名：IPD30N10S3L-34CT
  IPD30N10S3L-34CT-ND
  IPD30N10S3L34ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Tc） 74W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD06N60C3BTMA1
  仓库库存编号：SPD06N60C3BTMA1CT-ND
  别名：SPD06N60C3INCT
  SPD06N60C3INCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIBC30GPBF
  仓库库存编号：IRFIBC30GPBF-ND
  别名：*IRFIBC30GPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 4A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 38W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：SPA04N80C3
  仓库库存编号：SPA04N80C3IN-ND
  别名：SP000216300
  SPA04N80C3IN
  SPA04N80C3X
  SPA04N80C3XK
  SPA04N80C3XKSA1
  SPA04N80C3XTIN
  SPA04N80C3XTIN-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 129A（Tc） 96W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM033NA03CR RLG
  仓库库存编号：TSM033NA03CR RLGTR-ND
  别名：TSM033NA03CR RLGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 129A（Tc） 96W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM033NA03CR RLG
  仓库库存编号：TSM033NA03CR RLGCT-ND
  别名：TSM033NA03CR RLGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 129A（Tc） 96W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM033NA03CR RLG
  仓库库存编号：TSM033NA03CR RLGDKR-ND
  别名：TSM033NA03CR RLGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 36.8A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36.8A（Tc） 69.4W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIJ494DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIJ494DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIJ494DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 150.6W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：TSM60NB190CM2 RNG
  仓库库存编号：TSM60NB190CM2 RNGTR-ND
  别名：TSM60NB190CM2 RNGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 150.6W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：TSM60NB190CM2 RNG
  仓库库存编号：TSM60NB190CM2 RNGCT-ND
  别名：TSM60NB190CM2 RNGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 150.6W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：TSM60NB190CM2 RNG
  仓库库存编号：TSM60NB190CM2 RNGDKR-ND
  别名：TSM60NB190CM2 RNGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 18A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STP36NF06FP
  仓库库存编号：497-16203-5-ND
  别名：497-16203-5
  STP36NF06FP-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 550V 13A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP18N55M5
  仓库库存编号：497-10963-5-ND
  别名：497-10963-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 33.8W（Tc） ITO-220
  
  型号：TSM60NB190CI C0G
  仓库库存编号：TSM60NB190CI C0G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 75A U8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），75A（Tc） 820mW（Ta）, 33W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS4C05NTWG
  仓库库存编号：NTTFS4C05NTWG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 12A ECH8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 1.6W（Ta） 8-ECH
  
  型号：ECH8410-TL-H
  仓库库存编号：ECH8410-TL-H-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 10.2A SO-8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.2A（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4937NCT1G
  仓库库存编号：NTMFS4937NCT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 70A SO-8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.2A（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4937NCT3G
  仓库库存编号：NTMFS4937NCT3G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 75A U8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），102A（Tc） 3.2W（Ta），68W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NVTFS4C05NTAG
  仓库库存编号：NVTFS4C05NTAG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 22A U8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），102A（Tc） 3.2W（Ta），68W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NVTFS4C05NWFTAG
  仓库库存编号：NVTFS4C05NWFTAG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC30SPBF
  仓库库存编号：IRFBC30SPBF-ND
  别名：*IRFBC30SPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC30STRLPBF
  仓库库存编号：IRFBC30STRLPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 550V 13A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB18N55M5
  仓库库存编号：497-11227-1-ND
  别名：497-11227-1
  497-11227-5
  497-11227-5-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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