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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD050N03LGATMA1
  仓库库存编号：IPD050N03LGATMA1CT-ND
  别名：IPD050N03LGINCT
  IPD050N03LGINCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD050N03LGBTMA1
  仓库库存编号：IPD050N03LGBTMA1-ND
  别名：SP000254716
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB055N03LGATMA1
  仓库库存编号：IPB055N03LGATMA1TR-ND
  别名：IPB055N03L G
  IPB055N03LGINTR
  IPB055N03LGINTR-ND
  IPB055N03LGXT
  SP000304110
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 13A（Ta），50A（Tc） 2.8W（Ta）, 42W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSB104N08NP3GXUSA1
  仓库库存编号：BSB104N08NP3GXUSA1-ND
  别名：SP001164330
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 5.7A（Tc） 83W（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPU80R1K0CEAKMA1
  仓库库存编号：IPU80R1K0CEAKMA1-ND
  别名：SP001593928
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 74W（Tc） PG-TO252-3-1
  
  型号：SPD06N60C3ATMA1
  仓库库存编号：SPD06N60C3ATMA1-ND
  别名：SP001117770
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 6.2A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：SPA06N60C3
  仓库库存编号：SPA06N60C3IN-ND
  别名：SP000216301
  SPA06N60C3IN
  SPA06N60C3XK
  SPA06N60C3XKSA1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 550V 12A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 550V 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB50R299CPATMA1
  仓库库存编号：IPB50R299CPATMA1TR-ND
  别名：IPB50R299CP
  IPB50R299CP-ND
  SP000236094
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 16.8A 3TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 16.8A（Tc） 126W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB60R230P6ATMA1
  仓库库存编号：IPB60R230P6ATMA1-ND
  别名：SP001364466
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA50R299CPXKSA1
  仓库库存编号：IPA50R299CPXKSA1-ND
  别名：IPA50R299CP
  IPA50R299CP-ND
  SP000236079
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 550V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP50R299CPHKSA1
  仓库库存编号：IPP50R299CPHKSA1-ND
  别名：SP000236070
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 6.2A（Tc） 74W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP06N60C3HKSA1
  仓库库存编号：SPP06N60C3HKSA1-ND
  别名：SP000014697
  SPP06N60C3
  SPP06N60C3-ND
  SPP06N60C3IN
  SPP06N60C3IN-ND
  SPP06N60C3X
  SPP06N60C3XK
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW50R299CPFKSA1
  仓库库存编号：IPW50R299CPFKSA1-ND
  别名：IPW50R299CP
  IPW50R299CP-ND
  SP000301163
  
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 10A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD11NM60N
  仓库库存编号：497-5733-1-ND
  别名：497-5733-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF11NM60N
  仓库库存编号：497-5886-5-ND
  别名：497-5886-5
  STF11NM60N-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 90W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP11NM60N
  仓库库存编号：497-5887-5-ND
  别名：497-5887-5
  STP11NM60N-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 90W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD11NM60N-1
  仓库库存编号：497-5963-5-ND
  别名：497-5963-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 90W（Tc） I2PAK
  
  型号：STB11NM60N-1
  仓库库存编号：STB11NM60N-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 12A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 12A（Tc） 90W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW16N65M5
  仓库库存编号：497-10973-5-ND
  别名：497-10973-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.6A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBC30
  仓库库存编号：IRFBC30-ND
  别名：*IRFBC30
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.6A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC30S
  仓库库存编号：IRFBC30S-ND
  别名：*IRFBC30S
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2.5A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIBC30G
  仓库库存编号：IRFIBC30G-ND
  别名：*IRFIBC30G
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.6A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRFBC30L
  仓库库存编号：IRFBC30L-ND
  别名：*IRFBC30L
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.6A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC30STRL
  仓库库存编号：IRFBC30STRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.6A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC30STRR
  仓库库存编号：IRFBC30STRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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