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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.6A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） TO-262-3
  
  型号：IRFBC30LPBF
  仓库库存编号：IRFBC30LPBF-ND
  别名：*IRFBC30LPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS4410
  仓库库存编号：FDS4410-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 58A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 13A（Ta），58A（Tc） 55W（Tc） TO-251
  
  型号：FDU8880
  仓库库存编号：FDU8880-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 10A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 10A（Ta），42A（Tc） 3.8W（Ta），50W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：FDU6030BL
  仓库库存编号：FDU6030BL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 5.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 5.8A（Tc） 158W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP6N80
  仓库库存编号：FQP6N80-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 3.3A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 3.3A（Tc） 51W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF6N80
  仓库库存编号：FQPF6N80-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 6.3A（Tc） 185W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA6N80
  仓库库存编号：FQA6N80-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 4.4A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 4.4A（Tc） 90W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF6N80
  仓库库存编号：FQAF6N80-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 3.5A（Tc） 135W（Tc） TO-220 [K]
  
  型号：APT1204R7KFLLG
  仓库库存编号：APT1204R7KFLLG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11A BGA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 2.1W（Ta） 18-BGA（2.5x4）
  
  型号：FDZ7296
  仓库库存编号：FDZ7296CT-ND
  别名：FDZ7296CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 11.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4712
  仓库库存编号：785-1051-1-ND
  别名：785-1051-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 8.6A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：AO4946
  仓库库存编号：785-1066-1-ND
  别名：785-1066-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 7.2A（Ta），44A（Tc） 120W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB3672
  仓库库存编号：FDB3672-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 6.3A（Tc） 185W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA6N80_F109
  仓库库存编号：FQA6N80_F109-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 53.6A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 17A（Ta），53A（Tc） 2.7W（Ta），33W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS5811NLTAG
  仓库库存编号：NTTFS5811NLTAGOSCT-ND
  别名：NTTFS5811NLTAGOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 9A/7.3A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：AO4924
  仓库库存编号：785-1318-1-ND
  别名：785-1318-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 9A/7.3A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：AO4924L
  仓库库存编号：AO4924L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 13A（Tc） 52W（Tc） ITO-220
  
  型号：TSM13N50ACI C0G
  仓库库存编号：TSM13N50ACI C0G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 13A（Tc） 52W（Tc） TO-220
  
  型号：TSM13N50ACZ C0G
  仓库库存编号：TSM13N50ACZ C0G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 8.3A（Ta），47A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MZ
  
  型号：IRF6662TR1PBF
  仓库库存编号：IRF6662TR1PBFCT-ND
  别名：IRF6662TR1PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 55A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MZ
  
  型号：IRF6668TR1PBF
  仓库库存编号：IRF6668TR1PBFCT-ND
  别名：IRF6668TR1PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD230N06NGBTMA1
  仓库库存编号：IPD230N06NGBTMA1TR-ND
  别名：IPD230N06N G
  IPD230N06N G-ND
  IPD230N06NGXT
  SP000204196
  SP000450200
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP26CN10NGHKSA1
  仓库库存编号：IPP26CN10NGHKSA1-ND
  别名：IPP26CN10N G
  IPP26CN10N G-ND
  IPP26CN10NGX
  IPP26CN10NGXK
  SP000096471
  SP000680922
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 85V 35A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 85V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP26CNE8N G
  仓库库存编号：IPP26CNE8N G-ND
  别名：IPP26CNE8NGX
  IPP26CNE8NGXK
  SP000096472
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS050N03LGAKMA1
  仓库库存编号：IPS050N03LGAKMA1-ND
  别名：IPS050N03L G
  IPS050N03LGIN
  IPS050N03LGIN-ND
  IPS050N03LGXK
  SP000810848
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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