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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU050N03L G
  仓库库存编号：IPU050N03LGIN-ND
  别名：IPU050N03LGIN
  IPU050N03LGXK
  SP000271468
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.8A（Tc） 30W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R520CPXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R520CPXKSA1-ND
  别名：IPA60R520CP
  IPA60R520CP-ND
  SP000405856
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB26CN10NGATMA1
  仓库库存编号：IPB26CN10NGATMA1TR-ND
  别名：IPB26CN10N G
  IPB26CN10N G-ND
  SP000277692
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 85V 35A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO-263
  
  型号：IPB26CNE8N G
  仓库库存编号：IPB26CNE8N G-ND
  别名：SP000292948
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 85V 35A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD25CNE8N G
  仓库库存编号：IPD25CNE8N G-ND
  别名：SP000096457
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 50A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI200N15N3 G
  仓库库存编号：IPI200N15N3 G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI26CN10N G
  仓库库存编号：IPI26CN10N G-ND
  别名：SP000208932
  SP000680726
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 85V 35A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 85V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI26CNE8N G
  仓库库存编号：IPI26CNE8N G-ND
  别名：SP000208935
  SP000680728
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.8A（Tc） 66W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI60R520CPAKSA1
  仓库库存编号：IPI60R520CPAKSA1-ND
  别名：IPI60R520CP
  IPI60R520CP-ND
  SP000405872
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 6.8A（Tc） 66W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R520CPXKSA1
  仓库库存编号：IPP60R520CPXKSA1-ND
  别名：IPP60R520CP
  IPP60R520CP-ND
  SP000405860
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD200N15N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD200N15N3GBTMA1CT-ND
  别名：IPD200N15N3 GCT
  IPD200N15N3 GCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 55A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MZ
  
  型号：IRF6668TR1
  仓库库存编号：IRF6668TR1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 21A（Ta），40A（Tc） 2.7W（Ta），37W（Tc） PQFN（3x3）
  
  型号：IRFHM830TR2PBF
  仓库库存编号：IRFHM830TR2PBFCT-ND
  别名：IRFHM830TR2PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.8A（Tc） 66W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R520CPATMA1
  仓库库存编号：IPB60R520CPATMA1CT-ND
  别名：IPB60R520CPCT
  IPB60R520CPCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.8A（Tc） 66W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R520CPBTMA1
  仓库库存编号：IPD60R520CPBTMA1CT-ND
  别名：IPD60R520CPCT
  IPD60R520CPCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD25CN10NGBUMA1
  仓库库存编号：IPD25CN10NGBUMA1CT-ND
  别名：IPD25CN10N GCT
  IPD25CN10N GCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 5.7A（Tc） 83W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU80R1K0CEBKMA1
  仓库库存编号：IPU80R1K0CEBKMA1-ND
  别名：SP001100624
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 5.7A（Tc） 83W（Tc） TO-252-3
  
  型号：IPD80R1K0CEBTMA1
  仓库库存编号：IPD80R1K0CEBTMA1CT-ND
  别名：IPD80R1K0CEBTMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 800V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 3.6A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA80R1K0CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA80R1K0CEXKSA1-ND
  别名：SP001271058
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP200N15N3GHKSA1
  仓库库存编号：IPP200N15N3GHKSA1-ND
  别名：SP000414714
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.8A（Tc） 66W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R520CPATMA1
  仓库库存编号：IPD60R520CPATMA1-ND
  别名：SP000680640
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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