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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 14.9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS8842NZ
仓库库存编号:
FDS8842NZCT-ND
别名:FDS8842NZCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 73nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 20A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta),42A(Tc) 2.5W(Ta),78W(Tc) Power56
型号:
FDMS8670S
仓库库存编号:
FDMS8670SCT-ND
别名:FDMS8670SCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 73nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC030N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSC030N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSC030N03MSG+F30INCT
BSC030N03MSG+F30INCT-ND
BSC030N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC030N03MSGINCT
BSC030N03MSGINCT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 73nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta),90A(Tc) 2.2W(Ta),78W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSB044N08NN3 G
仓库库存编号:
BSB044N08NN3 GCT-ND
别名:BSB044N08NN3 GCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 73nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R190E6XKSA1
仓库库存编号:
IPP65R190E6XKSA1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 73nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 115W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD8770
仓库库存编号:
FDD8770CT-ND
别名:FDD8770CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 73nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 52A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 52A(Ta) 3.8W(Ta),83W(Tc) TO-252
型号:
FDD5670
仓库库存编号:
FDD5670CT-ND
别名:FDD5670CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 73nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 38A(Tc) 313W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB38N30U
仓库库存编号:
FDB38N30UCT-ND
别名:FDB38N30UCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 73nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R190C6XKSA1
仓库库存编号:
IPP65R190C6XKSA1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 73nC @ 10V,
无铅
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IXYS
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 520W(Tc) TO-247HV
型号:
IXTH2N300P3HV
仓库库存编号:
IXTH2N300P3HV-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 73nC @ 10V,
不受无铅要求限制
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IXYS
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 520W(Tc) TO-268
型号:
IXTT2N300P3HV
仓库库存编号:
IXTT2N300P3HV-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 73nC @ 10V,
不受无铅要求限制
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 60A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
STP60NF06
仓库库存编号:
497-2779-5-ND
别名:497-2779-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 73nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 28A ATPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 28A(Ta) 70W(Tc) ATPAK
型号:
ATP301-TL-H
仓库库存编号:
869-1086-1-ND
别名:869-1086-1
ATP301TLH
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 73nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 46A(Tc) 83W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM160N10LCR RLG
仓库库存编号:
TSM160N10LCR RLGTR-ND
别名:TSM160N10LCR RLGTR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 73nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 46A(Tc) 83W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM160N10LCR RLG
仓库库存编号:
TSM160N10LCR RLGCT-ND
别名:TSM160N10LCR RLGCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 73nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 46A(Tc) 83W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM160N10LCR RLG
仓库库存编号:
TSM160N10LCR RLGDKR-ND
别名:TSM160N10LCR RLGDKR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 73nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 80A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 125W(Tc) DPAK
型号:
STD100N10LF7AG
仓库库存编号:
STD100N10LF7AG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 73nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
80V DUAL N-CHANNEL POWERTRENCH M
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 66A (Tc) 39W Surface Mount 8-PQFN (5x6)
型号:
FDMD8680
仓库库存编号:
FDMD8680-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 73nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 60A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 500W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP60N20T
仓库库存编号:
IXTP60N20T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 73nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 60A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 500W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA60N20T
仓库库存编号:
IXTA60N20T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 73nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO040N03MSGXUMA1
仓库库存编号:
BSO040N03MSGXUMA1TR-ND
别名:BSO040N03MS G
BSO040N03MS G-ND
SP000446070
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 73nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL65R190E6AUMA1
仓库库存编号:
IPL65R190E6AUMA1-ND
别名:SP001074938
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 73nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R190C6ATMA1
仓库库存编号:
IPB65R190C6ATMA1CT-ND
别名:IPB65R190C6CT
IPB65R190C6CT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 73nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.2A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA65R190C6XKSA1
仓库库存编号:
IPA65R190C6XKSA1-ND
别名:IPA65R190C6
IPA65R190C6-ND
SP000863892
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 73nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.2A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA65R190E6XKSA1
仓库库存编号:
IPA65R190E6XKSA1-ND
别名:IPA65R190E6
IPA65R190E6-ND
SP000863904
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 73nC @ 10V,
无铅
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