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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 100V 800mA, 680mA 870mW Surface Mount 8-SOP
  
  型号：ZXMHC10A07N8TC
  仓库库存编号：ZXMHC10A07N8DICT-ND
  别名：ZXMHC10A07N8DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.9nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 30V 520MA SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 520mA（Ta） 417mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：BSH202,215
  仓库库存编号：1727-6215-1-ND
  别名：1727-6215-1
  568-8026-1
  568-8026-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.9nC @ 10V,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Ta） 1.5W（Ta） SOT-89-3
  
  型号：ZXMN10A07ZTA
  仓库库存编号：ZXMN10A07ZCT-ND
  别名：ZXMN10A07ZCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.9nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS314PEH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS314PEH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS314PE H6327CT
  BSS314PE H6327CT-ND
  BSS314PEH6327XTSA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.9nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
  详细描述：Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 100V 1A, 800mA 1.3W Surface Mount SM8
  
  型号：ZXMHC10A07T8TA
  仓库库存编号：ZXMHC10A07T8CT-ND
  别名：ZXMHC10A07T8CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.9nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 700mA（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXMN10A07FTA
  仓库库存编号：ZXMN10A07FCT-ND
  别名：ZXMN10A07FCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.9nC @ 10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT363-6
  
  型号：BSD314SPEH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSD314SPEH6327XTSA1-ND
  别名：SP000917658
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.9nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1.5A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
  
  型号：BSL314PEH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSL314PEH6327XTSA1-ND
  别名：SP001101006
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.9nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1.5A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
  
  型号：BSL314PEL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSL314PEL6327HTSA1TR-ND
  别名：BSL314PE L6327
  BSL314PE L6327-ND
  SP000473004
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.9nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS314PEL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSS314PEL6327HTSA1TR-ND
  别名：BSS314PE L6327
  BSS314PE L6327-ND
  SP000473000
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.9nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT363-6
  
  型号：BSD314SPEL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSD314SPEL6327HTSA1CT-ND
  别名：BSD314SPE L6327CT
  BSD314SPE L6327CT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.9nC @ 10V,
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