品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR6215TRPBF
仓库库存编号:
IRFR6215TRPBFCT-ND
别名:IRFR6215TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 13A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU6215PBF
仓库库存编号:
IRFU6215PBF-ND
别名:*IRFU6215PBF
SP001557816
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 125W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP70N10S312AKSA1
仓库库存编号:
IPP70N10S312AKSA1-ND
别名:IPP70N10S3-12
IPP70N10S3-12-ND
IPP70N10S312
SP000407122
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Ta),169A(Tc) 3.6W(Ta),96W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH8311TRPBF
仓库库存编号:
IRFH8311TRPBFCT-ND
别名:IRFH8311TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 58A
详细描述:表面贴装 N 沟道 58A(Tc) 83W(Tc) D-Pak
型号:
IRF60R217
仓库库存编号:
IRF60R217CT-ND
别名:IRF60R217CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB70N10S312ATMA1
仓库库存编号:
IPB70N10S312ATMA1CT-ND
别名:IPB70N10S3-12INCT
IPB70N10S3-12INCT-ND
IPB70N10S312ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 13A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF6215PBF
仓库库存编号:
IRF6215PBF-ND
别名:*IRF6215PBF
SP001559672
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 16A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 160W(Tc) TO-220-3
型号:
SPP16N50C3XKSA1
仓库库存编号:
SPP16N50C3XKSA1-ND
别名:SP000681056
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 16A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 160W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW16N50C3
仓库库存编号:
SPW16N50C3IN-ND
别名:SP000014472
SPW16N50C3FKSA1
SPW16N50C3IN
SPW16N50C3X
SPW16N50C3XK
SPW16N50C3XTIN
SPW16N50C3XTIN-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N04S403ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N04S403ATMA1CT-ND
别名:IPB80N04S403ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3-1
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N04S403AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N04S403AKSA1-ND
别名:IPI80N04S4-03
IPI80N04S4-03-ND
SP000671634
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 13A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) D2PAK
型号:
IRF6215STRLPBF
仓库库存编号:
IRF6215STRLPBFCT-ND
别名:IRF6215STRLPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N04S403AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N04S403AKSA1-ND
别名:IPP80N04S4-03
IPP80N04S4-03-ND
SP000671756
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 84A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 84A(Tc) 4.2W(Ta),63W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
AUIRFN8401TR
仓库库存编号:
AUIRFN8401TR-ND
别名:SP001522256
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR6215TRL
仓库库存编号:
AUIRFR6215TRL-ND
别名:SP001522196
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 70A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI70N10S312AKSA1
仓库库存编号:
IPI70N10S312AKSA1-ND
别名:IPI70N10S3-12
IPI70N10S3-12-ND
SP000407124
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 13A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF6215STRL
仓库库存编号:
AUIRF6215STRLTR-ND
别名:AUIRF6215STRLTR
SP001522066
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A TO220AB
详细描述:通孔 P 沟道 150V 13A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRF6215
仓库库存编号:
AUIRF6215-ND
别名:SP001521586
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 16A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 560V 16A(Tc) 160W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB16N50C3
仓库库存编号:
SPB16N50C3INCT-ND
别名:SPB16N50C3INCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 84A(Tc) 38W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA029N06NXKSA1
仓库库存编号:
IPA029N06NXKSA1-ND
别名:SP001199858
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 16A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 560V 16A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-3
型号:
SPA16N50C3
仓库库存编号:
SPA16N50C3IN-ND
别名:SP000216351
SPA16N50C3IN
SPA16N50C3X
SPA16N50C3XK
SPA16N50C3XKSA1
SPA16N50C3XTIN
SPA16N50C3XTIN-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 13A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) D2PAK
型号:
IRF6215S
仓库库存编号:
IRF6215S-ND
别名:*IRF6215S
SP001551138
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 13A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) D2PAK
型号:
IRF6215STRR
仓库库存编号:
IRF6215STRR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 150V 13A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU6215
仓库库存编号:
IRFU6215-ND
别名:*IRFU6215
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 150V 13A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) TO-262
型号:
IRF6215L
仓库库存编号:
IRF6215L-ND
别名:*IRF6215L
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
含铅
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