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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta),80A(Tc) 175W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB070AN06A0
仓库库存编号:
FDB070AN06A0CT-ND
别名:FDB070AN06A0CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 13A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) D2PAK
型号:
IRF6215STRLPBF
仓库库存编号:
IRF6215STRLPBFCT-ND
别名:IRF6215STRLPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 24A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA453EDJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA453EDJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA453EDJ-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 9.9A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRLI640GPBF
仓库库存编号:
IRLI640GPBF-ND
别名:*IRLI640GPBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 14.5A(Tc) 156W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP15N50E-GE3
仓库库存编号:
SIHP15N50E-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 14.5A(Tc) 156W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
SIHB15N50E-GE3
仓库库存编号:
SIHB15N50E-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN2R7-30BL,118
仓库库存编号:
1727-7114-1-ND
别名:1727-7114-1
568-9484-1
568-9484-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STP60NF06FP
仓库库存编号:
497-3197-5-ND
别名:497-3197-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 62.5W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA66DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA66DP-T1-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SISA66DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SISA66DN-T1-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 60A(Tc) 83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR846ADP-T1-RE3
仓库库存编号:
SIR846ADP-T1-RE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 60A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR688DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR688DP-T1-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 25A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Ta) 150W(Ta) TO-3P
型号:
RJK5015DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJK5015DPK-00#T0-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 25A TO3PFM
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Ta) 60W(Tc) TO-3PFM
型号:
RJK5015DPM-00#T1
仓库库存编号:
RJK5015DPM-00#T1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N04S403AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N04S403AKSA1-ND
别名:IPP80N04S4-03
IPP80N04S4-03-ND
SP000671756
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 84A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 84A(Tc) 4.2W(Ta),63W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
AUIRFN8401TR
仓库库存编号:
AUIRFN8401TR-ND
别名:SP001522256
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR6215TRL
仓库库存编号:
AUIRFR6215TRL-ND
别名:SP001522196
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 70A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI70N10S312AKSA1
仓库库存编号:
IPI70N10S312AKSA1-ND
别名:IPI70N10S3-12
IPI70N10S3-12-ND
SP000407124
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 13A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF6215STRL
仓库库存编号:
AUIRF6215STRLTR-ND
别名:AUIRF6215STRLTR
SP001522066
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A TO220AB
详细描述:通孔 P 沟道 150V 13A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRF6215
仓库库存编号:
AUIRF6215-ND
别名:SP001521586
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 16A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 560V 16A(Tc) 160W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB16N50C3
仓库库存编号:
SPB16N50C3INCT-ND
别名:SPB16N50C3INCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 84A(Tc) 38W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA029N06NXKSA1
仓库库存编号:
IPA029N06NXKSA1-ND
别名:SP001199858
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 16A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 560V 16A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-3
型号:
SPA16N50C3
仓库库存编号:
SPA16N50C3IN-ND
别名:SP000216351
SPA16N50C3IN
SPA16N50C3X
SPA16N50C3XK
SPA16N50C3XKSA1
SPA16N50C3XTIN
SPA16N50C3XTIN-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 17A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 17A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF21NM60N
仓库库存编号:
497-5004-5-ND
别名:497-5004-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 17A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 17A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
STP21NM60N
仓库库存编号:
497-5019-5-ND
别名:497-5019-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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