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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 17A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 17A(Tc) 140W(Tc) TO-247-3
型号:
STW21NM60N
仓库库存编号:
497-5024-5-ND
别名:497-5024-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 17A(Tc) 140W(Tc) D2PAK
型号:
STB21NM60N
仓库库存编号:
497-5002-1-ND
别名:497-5002-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 17A(Tc) 140W(Tc) I2PAK
型号:
STB21NM60N-1
仓库库存编号:
497-5728-ND
别名:497-5728
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.4A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 400V 5.4A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI740G
仓库库存编号:
IRFI740G-ND
别名:*IRFI740G
Q850024
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9.9A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRLI640G
仓库库存编号:
IRLI640G-ND
别名:*IRLI640G
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 50A(Tc) 3.7W(Ta),150W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ46L
仓库库存编号:
IRFZ46L-ND
别名:*IRFZ46L
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220-5
详细描述:通孔 N 沟道 400V 10A(Tc) 125W(Tc) TO-220-5
型号:
IRC740PBF
仓库库存编号:
IRC740PBF-ND
别名:*IRC740PBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 45A TO220SM
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 45A(Ta) 65W(Tc) TO-220SM
型号:
2SK3127(TE24L,Q)
仓库库存编号:
2SK3127(TE24L,Q)-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 16.1A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 16.1A(Ta),50A(Tc) 3.1W(Ta),66W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB8453LZ
仓库库存编号:
FDB8453LZCT-ND
别名:FDB8453LZCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Tc) 5W(Ta),27.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7160DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7160DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7160DP-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 60A TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 30V 60A(Ta) 150W(Tc) TO-3P(N)
型号:
2SK3128(Q)
仓库库存编号:
2SK3128(Q)-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 129A ICEPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 26.7A(Ta),151A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) 4-ICEPAK - E1 PAD(6.3x4.9)
型号:
NTMKE4891NT1G
仓库库存编号:
NTMKE4891NT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 60A(Tc) 5W(Ta),48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7774DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7774DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7774DP-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 50A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 50A(Tc) 2.7W(Ta),59.5W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP50N03-5M1P-GE3
仓库库存编号:
SUP50N03-5M1P-GE3-ND
别名:SUP50N03-5M1P-GE3CT
SUP50N03-5M1P-GE3CT-ND
SUP50N035M1PGE3
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Tc) 5W(Ta),27.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7160DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7160DP-T1-E3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 78A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 78A(Tc) 10.7W(Ta),65W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N025-06P-E3
仓库库存编号:
SUD50N025-06P-E3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 500V 23A(Tc) 347W(Tc) TO-3PN
型号:
GP1M023A050N
仓库库存编号:
1560-1192-5-ND
别名:1560-1192-1
1560-1192-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 13A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) D2PAK
型号:
IRF6215S
仓库库存编号:
IRF6215S-ND
别名:*IRF6215S
SP001551138
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 13A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) D2PAK
型号:
IRF6215STRR
仓库库存编号:
IRF6215STRR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 150V 13A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU6215
仓库库存编号:
IRFU6215-ND
别名:*IRFU6215
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 150V 13A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) TO-262
型号:
IRF6215L
仓库库存编号:
IRF6215L-ND
别名:*IRF6215L
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR6215TRL
仓库库存编号:
IRFR6215TRL-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR6215TR
仓库库存编号:
IRFR6215TR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR6215TRR
仓库库存编号:
IRFR6215TRR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A TO262
详细描述:通孔 P 沟道 150V 13A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) TO-262
型号:
IRF6215L-103
仓库库存编号:
IRF6215L-103-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
含铅
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