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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS6576
  仓库库存编号：FDS6576CT-ND
  别名：FDS6576CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 116A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL2203NPBF
  仓库库存编号：IRL2203NPBF-ND
  别名：*IRL2203NPBF
  SP001573688
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 116A（Tc） 3.8W（Ta），180W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL2203NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRL2203NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRL2203NSTRLPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 100A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 57W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA60DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA60DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIRA60DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 5.5A 1.25W Surface Mount TSMT8
  
  型号：QS8J13TR
  仓库库存编号：QS8J13CT-ND
  别名：QS8J13TRCT
  QS8J13TRCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  PCH -20V -30A MIDDLE POWER MOSFE
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Tc） 20W（Tc） 8-HSMT（3.2x3）
  
  型号：RQ3C150BCTB
  仓库库存编号：RQ3C150BCTBCT-ND
  别名：RQ3C150BCTBCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7831TRPBF
  仓库库存编号：IRF7831PBFCT-ND
  别名：*IRF7831TRPBF
  IRF7831PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4838DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4838DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4838DY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 184A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 125W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRLB8314PBF
  仓库库存编号：IRLB8314PBF-ND
  别名：64-0101PBF
  64-0101PBF-ND
  SP001572766
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4838DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4838DY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 75A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB
  
  型号：AUIRL2203N
  仓库库存编号：AUIRL2203N-ND
  别名：SP001521374
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 10.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：NDS8426A
  仓库库存编号：NDS8426A-ND
  别名：NDS8426A_NL
  NDS8426A_NL-ND
  Q2079001
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 10A（Ta） 1.8W（Ta） SuperSOT?-8
  
  型号：FDR840P
  仓库库存编号：FDR840P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 9.5A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4466DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4466DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4466DY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 900mW（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4119NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4119NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS4119NT1GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 50A（Tc） 8.3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50N02-04P-E3
  仓库库存编号：SUD50N02-04P-E3CT-ND
  别名：SUD50N02-04P-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 9.5A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4466DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4466DY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7886ADP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7886ADP-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7886ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7886ADP-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 4.5V,
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  MOSFET N-CH 30V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 110A（Tc） 3.75W（Ta），120W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM110N03-04P-E3
  仓库库存编号：SUM110N03-04P-E3CT-ND
  别名：SUM110N03-04P-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 116A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB
  
  型号：94-2304
  仓库库存编号：94-2304-ND
  别名：*IRL2203N
  IRL2203N
  IRL2203N-ND
  SP001521934
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 116A（Tc） 3.8W（Ta），180W（Tc） D2PAK
  
  型号：94-2113
  仓库库存编号：94-2113-ND
  别名：*IRL2203NS
  IRL2203NS
  IRL2203NS-ND
  SP001517146
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 4.5V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 116A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 116A（Tc） 3.8W（Ta），180W（Tc） TO-262
  
  型号：IRL2203NL
  仓库库存编号：IRL2203NL-ND
  别名：*IRL2203NL
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 116A（Tc） 3.8W（Ta），180W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL2203NSTRR
  仓库库存编号：IRL2203NSTRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 21A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7831TR
  仓库库存编号：IRF7831TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 4.5V,
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