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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 300V 73A（Tc） 481W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN73N30Q
  仓库库存编号：IXFN73N30Q-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 195nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 38A（Tc） 694W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT8020B2LLG
  仓库库存编号：APT8020B2LLG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 195nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 73A（Tc） 893W（Tc） 264 MAX? [L2]
  
  型号：APT60M75L2LLG
  仓库库存编号：APT60M75L2LLG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 195nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 73A（Tc） 893W（Tc） 264 MAX? [L2]
  
  型号：APT60M75L2FLLG
  仓库库存编号：APT60M75L2FLLG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 195nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 58A（Tc） 595W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT60M75JLL
  仓库库存编号：APT60M75JLL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 195nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB120N06S402ATMA2
  仓库库存编号：IPB120N06S402ATMA2-ND
  别名：SP001028776
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 195nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI120N06S402AKSA2
  仓库库存编号：IPI120N06S402AKSA2-ND
  别名：SP001028778
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 195nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI120N06S402AKSA1
  仓库库存编号：IPI120N06S402AKSA1-ND
  别名：IPI120N06S4-02
  IPI120N06S4-02-ND
  SP000415622
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 195nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 60V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 75A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB3256PBF
  仓库库存编号：IRFB3256PBF-ND
  别名：SP001577830
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 195nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 300V 40A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 40A（Tc） 300W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT30M85BVFRG
  仓库库存编号：APT30M85BVFRG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 195nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 70A TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 70A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
  
  型号：SSH70N10A
  仓库库存编号：SSH70N10A-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 195nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 30V 16A 8SOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 16A（Ta） 1.1W（Ta） 8-SOP
  
  型号：UPA2735GR-E1-AT
  仓库库存编号：UPA2735GR-E1-AT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 195nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB120N06S402ATMA1
  仓库库存编号：IPB120N06S402ATMA1TR-ND
  别名：IPB120N06S4-02
  IPB120N06S4-02-ND
  SP000415560
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 195nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP120N06S402AKSA1
  仓库库存编号：IPP120N06S402AKSA1-ND
  别名：IPP120N06S4-02
  IPP120N06S4-02-ND
  SP000415700
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 195nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A PG-TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP120N06S402AKSA2
  仓库库存编号：IPP120N06S402AKSA2-ND
  别名：SP001028774
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 195nC @ 10V,
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