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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），69W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR464DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR464DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR464DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 27.2A（Tc） 3W（Ta），6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4122DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4122DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4122DY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），69W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7790DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7790DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7790DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH26N50Q
  仓库库存编号：IXFH26N50Q-ND
  别名：476048
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3W（Ta），6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4164DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4164DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4164DY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8 FL
  
  型号：BSC010N04LSATMA1
  仓库库存编号：BSC010N04LSATMA1CT-ND
  别名：BSC010N04LSATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 75V 60A 10-POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
  
  型号：SIE818DF-T1-E3
  仓库库存编号：SIE818DF-T1-E3CT-ND
  别名：SIE818DF-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 80A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），80A（Tc） 255W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB060AN08A0
  仓库库存编号：FDB060AN08A0CT-ND
  别名：FDB060AN08A0CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 90A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 10W（Ta），83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50N03-06AP-E3
  仓库库存编号：SUD50N03-06AP-E3CT-ND
  别名：SUD50N03-06AP-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 46A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 520W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT5010LLLG
  仓库库存编号：APT5010LLLG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF1010ZSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF1010ZSTRLPBFCT-ND
  别名：IRF1010ZSTRLPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 21A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 208W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB21N50C3
  仓库库存编号：SPB21N50C3INCT-ND
  别名：SPB21N50C3INCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 21A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 208W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP21N50C3XKSA1
  仓库库存编号：SPP21N50C3XKSA1-ND
  别名：SP000681066
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 21A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 208W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW21N50C3
  仓库库存编号：SPW21N50C3IN-ND
  别名：SP000014464
  SPW21N50C3FKSA1
  SPW21N50C3IN
  SPW21N50C3X
  SPW21N50C3XK
  SPW21N50C3XTIN
  SPW21N50C3XTIN-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 128A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 128A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP80090E-GE3
  仓库库存编号：SUP80090E-GE3-ND
  别名：SUP80090E-GE3CT
  SUP80090E-GE3CT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 227W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG23N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHG23N60E-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），69W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR818DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR818DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR818DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 17A 8-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），50A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS86310
  仓库库存编号：FDMS86310CT-ND
  别名：FDMS86310CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 128A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 128A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SUM80090E-GE3
  仓库库存编号：SUM80090E-GE3CT-ND
  别名：SUM80090E-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 333W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB075N15A_F085
  仓库库存编号：FDB075N15A_F085CT-ND
  别名：FDB075N15A_F085CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 29A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 278W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP125N60E
  仓库库存编号：FCP125N60E-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 29A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 278W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH125N60E
  仓库库存编号：FCH125N60E-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 300V 53A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 53A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB46N30M5
  仓库库存编号：497-14964-1-ND
  别名：497-14964-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 115W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：IPC100N04S5L1R5ATMA1
  仓库库存编号：IPC100N04S5L1R5ATMA1CT-ND
  别名：IPC100N04S5L1R5ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 23A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 94W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF3315PBF
  仓库库存编号：IRF3315PBF-ND
  别名：*IRF3315PBF
  SP001553934
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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