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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIZ44GPBF
  仓库库存编号：IRFIZ44GPBF-ND
  别名：*IRFIZ44GPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 46A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 520W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT5010LFLLG
  仓库库存编号：APT5010LFLLG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF1010ZPBF
  仓库库存编号：IRF1010ZPBF-ND
  别名：*IRF1010ZPBF
  SP001553844
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 520W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT5010B2FLLG
  仓库库存编号：APT5010B2FLLG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 403W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT10078BLLG
  仓库库存编号：APT10078BLLG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR1010ZPBF
  仓库库存编号：IRFR1010ZPBF-ND
  别名：*IRFR1010ZPBF
  SP001578020
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 16.1A（Tc） 2.5W（Ta），6.3W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4401DDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4401DDY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4401DDY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 2.5W（Ta），5.7W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4114DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4114DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4114DY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Tc） 37.8W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR820DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR820DP-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 20A（Tc） 2.5W（Ta），5.7W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4114DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4114DY-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Ta），80A（Tc） 255W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP060AN08A0
  仓库库存编号：FDP060AN08A0-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 23A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 227W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP23N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHP23N60E-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 23A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 35W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF23N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHF23N60E-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 180A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Ta） 200W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：NDBA180N10BT4H
  仓库库存编号：NDBA180N10BT4H-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 75V 60A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
  
  型号：SIE818DF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIE818DF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIE818DF-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 227W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SIHB23N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHB23N60E-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 180A 100V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 180A（Ta） 2.1W（Ta），200W（Tc） TO-220-3
  
  型号：NDPL180N10BG
  仓库库存编号：NDPL180N10BGOS-ND
  别名：NDPL180N10BGOS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 200V 16A TO-247
  详细描述：通孔 P 沟道 16A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH16P20
  仓库库存编号：IXTH16P20-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 36A TO-247
  详细描述：通孔 P 沟道 36A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH36P10
  仓库库存编号：IXTH36P10-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 24A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 24A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH24N50Q
  仓库库存编号：IXFH24N50Q-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 26A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 26A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT26N50Q
  仓库库存编号：IXFT26N50Q-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 500V 22A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 22A（Tc） 250W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR24N50Q
  仓库库存编号：IXFR24N50Q-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 24A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 24A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT24N50Q
  仓库库存编号：IXFT24N50Q-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 21A I4-PAC-5
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 21A（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FMD21-05QC
  仓库库存编号：FMD21-05QC-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 17A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 17A（Tc） 400W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH17N80Q
  仓库库存编号：IXFH17N80Q-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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