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IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A I4-PAC-5
详细描述：通孔 N 沟道 500V 21A（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
型号：
FDM21-05QC
仓库库存编号：
FDM21-05QC-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 12A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH12N120
仓库库存编号：
IXFH12N120-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 500V 46A（Tc） 520W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT5010B2LLG
仓库库存编号：
APT5010B2LLG-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 14A（Tc） 403W（Tc） D3 [S]
型号：
APT10078SLLG
仓库库存编号：
APT10078SLLG-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR1010ZTRLPBF
仓库库存编号：
IRFR1010ZTRLPBF-ND
别名：SP001564960
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR1010ZTRPBF
仓库库存编号：
IRFR1010ZTRPBF-ND
别名：SP001571020
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 21A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3315STRLPBF
仓库库存编号：
IRF3315STRLPBF-ND
别名：SP001563170
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 120A（Tc） 179W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB120N08S404ATMA1
仓库库存编号：
IPB120N08S404ATMA1-ND
别名：SP000989094
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 21A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRF3315STRL
仓库库存编号：
AUIRF3315STRL-ND
别名：SP001520192
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80V 120A（Tc） 179W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP120N08S404AKSA1
仓库库存编号：
IPP120N08S404AKSA1-ND
别名：SP000989096
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 80V 120A（Tc） 179W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI120N08S404AKSA1
仓库库存编号：
IPI120N08S404AKSA1-ND
别名：SP000989098
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
型号：
AUIRF1010Z
仓库库存编号：
AUIRF1010Z-ND
别名：SP001515582
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 10V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 188W（Tc） PG-TO220-3
型号：
IPP039N10N5AKSA1
仓库库存编号：
IPP039N10N5AKSA1-ND
别名：SP001602186
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 21A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 560V 21A（Tc） 34.5W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
SPA21N50C3
仓库库存编号：
SPA21N50C3IN-ND
别名：SP000216364
SPA21N50C3IN
SPA21N50C3X
SPA21N50C3XK
SPA21N50C3XKSA1
SPA21N50C3XTIN
SPA21N50C3XTIN-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 21A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 560V 21A（Tc） 208W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI21N50C3XKSA1
仓库库存编号：
SPI21N50C3XKSA1-ND
别名：SP000681012
SPI21N50C3
SPI21N50C3-ND
SPI21N50C3X
SPI21N50C3XK
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 166A（Tc） 187W（Tc） PG-TO263-7
型号：
IPB032N10N5ATMA1
仓库库存编号：
IPB032N10N5ATMA1-ND
别名：SP001607808
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1KV 7.3A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 7.3A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
STW8NB100
仓库库存编号：
497-2646-5-ND
别名：497-2646-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 38A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 200V 38A（Tc） 180W（Tc） TO-247-3
型号：
STW38NB20
仓库库存编号：
497-2658-5-ND
别名：497-2658-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 60V 30A（Tc） 48W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFIZ44G
仓库库存编号：
IRFIZ44G-ND
别名：*IRFIZ44G
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 57A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 60V 57A（Tc） 180W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP044PBF
仓库库存编号：
IRFP044PBF-ND
别名：*IRFP044PBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220-5
详细描述：通孔 N 沟道 60V 50A（Tc） 150W（Tc） TO-220-5
型号：
IRCZ44PBF
仓库库存编号：
IRCZ44PBF-ND
别名：*IRCZ44PBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 400V 30A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 400V 30A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH30N40Q
仓库库存编号：
IXFH30N40Q-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 24A（Tc） 250W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR26N50Q
仓库库存编号：
IXFR26N50Q-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 17A TO-268(D3)
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 17A（Tc） 400W（Tc） TO-268
型号：
IXFT17N80Q
仓库库存编号：
IXFT17N80Q-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 12A（Tc） 500W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH12N120
仓库库存编号：
IXTH12N120-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
无铅
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