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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 110A（Tc） 3.75W（Ta），150W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM110N04-05H-E3
  仓库库存编号：SUM110N04-05H-E3CT-ND
  别名：SUM110N04-05H-E3CT
  SUM110N0405HE3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Tc） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4456
  仓库库存编号：785-1035-1-ND
  别名：785-1035-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 60A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 60A（Tc） 3W（Ta），93.7W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50P04-13L-GE3
  仓库库存编号：SUD50P04-13L-GE3CT-ND
  别名：SUD50P04-13L-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 60V 50A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 50A（Tc） 1.8W（Ta），90W（Tc） TO-263
  
  型号：NP50P06KDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP50P06KDG-E1-AY-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 60A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 1.8W（Ta），88W（Tc） TO-263
  
  型号：NP60N04KUG-E1-AY
  仓库库存编号：NP60N04KUG-E1-AY-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 16A 8ULTRASO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta），65A（Tc） 2.1W（Ta），100W（Tc） UltraSO-8?
  
  型号：AOL1712
  仓库库存编号：AOL1712-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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  无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 60A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 60A（Tc） 3W（Ta），93.7W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50P04-13L-E3
  仓库库存编号：SUD50P04-13L-E3CT-ND
  别名：SUD50P04-13L-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 23A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 23A（Tc） 227W（Tc） TO-247AD
  
  型号：SIHW23N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHW23N60E-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 90A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 10W（Ta），83W（Tc） TO-252
  
  型号：SUD50N03-06AP-T4E3
  仓库库存编号：SUD50N03-06AP-T4E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 26A（Tc） 300W（Tc） TO-268（IXFT）
  
  型号：IXFT26N50Q TR
  仓库库存编号：IXFT26N50Q TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 27A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 27A（Tc） 136W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF3315
  仓库库存编号：IRF3315-ND
  别名：*IRF3315
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 21A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3315S
  仓库库存编号：IRF3315S-ND
  别名：*IRF3315S
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 21A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 21A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF3315L
  仓库库存编号：IRF3315L-ND
  别名：*IRF3315L
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 21A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3315STRL
  仓库库存编号：IRF3315STRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 21A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3315STRR
  仓库库存编号：IRF3315STRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 21A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 560V 21A（Tc） 208W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP21N50C3HKSA1
  仓库库存编号：SPP21N50C3HKSA1-ND
  别名：SPP21N50C3
  SPP21N50C3IN
  SPP21N50C3IN-ND
  SPP21N50C3X
  SPP21N50C3XK
  SPP21N50C3XTIN
  SPP21N50C3XTIN-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 140W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF1010ZL
  仓库库存编号：IRF1010ZL-ND
  别名：*IRF1010ZL
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF1010ZS
  仓库库存编号：IRF1010ZS-ND
  别名：*IRF1010ZS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF1010Z
  仓库库存编号：IRF1010Z-ND
  别名：*IRF1010Z
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR1010Z
  仓库库存编号：IRFR1010Z-ND
  别名：*IRFR1010Z
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 42A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU1010Z
  仓库库存编号：IRFU1010Z-ND
  别名：*IRFU1010Z
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 140W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF1010ZLPBF
  仓库库存编号：IRF1010ZLPBF-ND
  别名：*IRF1010ZLPBF
  SP001550878
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 21A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3315SPBF
  仓库库存编号：IRF3315SPBF-ND
  别名：*IRF3315SPBF
  SP001563178
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 21A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 21A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF3315LPBF
  仓库库存编号：IRF3315LPBF-ND
  别名：*IRF3315LPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 42A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU1010ZPBF
  仓库库存编号：IRFU1010ZPBF-ND
  别名：*IRFU1010ZPBF
  SP001567720
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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