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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 21A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3315STRRPBF
  仓库库存编号：IRF3315STRRPBF-ND
  别名：SP001559556
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR1010ZTRRPBF
  仓库库存编号：IRFR1010ZTRRPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRF1010ZS
  仓库库存编号：AUIRF1010ZS-ND
  别名：SP001519530
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 21A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRF3315S
  仓库库存编号：AUIRF3315S-ND
  别名：SP001520202
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 21A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 21A（Tc） 208W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI21N50C3HKSA1
  仓库库存编号：SPI21N50C3HKSA1-ND
  别名：SP000014463
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 10V,
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