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• IXYS
  MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 280W（Tc） TO-263
  
  型号：IXTA4N150HV
  仓库库存编号：IXTA4N150HV-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44.5nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 280W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT4N150HV
  仓库库存编号：IXTT4N150HV-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44.5nC @ 10V,
• 不受无铅要求限制
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N CH 30V 18A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4498
  仓库库存编号：785-1293-1-ND
  别名：785-1293-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44.5nC @ 10V,
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  无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 98A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 98A（Ta） 183W（Ta） TO-220AB
  
  型号：PSMN8R5-100PSFQ
  仓库库存编号：PSMN8R5-100PSFQ-ND
  别名：934070402127
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44.5nC @ 10V,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 97A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 97A（Ta） 183W（Ta） I2PAK
  
  型号：PSMN8R5-100ESFQ
  仓库库存编号：PSMN8R5-100ESFQ-ND
  别名：934070403127
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44.5nC @ 10V,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1500V 4A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 280W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH4N150
  仓库库存编号：IXTH4N150-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44.5nC @ 10V,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1500V 2.5A ISOTO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1500V 2.5A（Tc） 110W（Tc） TO-247
  
  型号：IXTJ4N150
  仓库库存编号：IXTJ4N150-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44.5nC @ 10V,
• 无铅
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