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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta） 5.4W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7336ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7336ADP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7336ADP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta） 5.4W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7336ADP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7336ADP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7336ADP-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4966DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4966DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4966DY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 18A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7842TRPBF
  仓库库存编号：IRF7842PBFCT-ND
  别名：*IRF7842TRPBF
  IRF7842PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7404TRPBF
  仓库库存编号：IRF7404PBFCT-ND
  别名：*IRF7404TRPBF
  IRF7404PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 161A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR7843TRPBF
  仓库库存编号：IRLR7843PBFCT-ND
  别名：*IRLR7843TRPBF
  IRLR7843PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7636DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7636DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7636DP-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 140A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR7833TRPBF
  仓库库存编号：IRLR7833PBFCT-ND
  别名：*IRLR7833TRPBF
  IRLR7833PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 115W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP052N06L3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP052N06L3GXKSA1-ND
  别名：IPP052N06L3 G
  IPP052N06L3 G-ND
  SP000680802
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V MICROFOOT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.1W（Ta），2.7W（Tc） 4-Microfoot
  
  型号：SI8439DB-T1-E1
  仓库库存编号：SI8439DB-T1-E1CT-ND
  别名：SI8439DB-T1-E1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4442DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4442DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4442DY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 60A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 3.75W（Ta），120W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM60N02-3M9P-E3
  仓库库存编号：SUM60N02-3M9P-E3CT-ND
  别名：SUM60N02-3M9P-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 107W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3103TRPBF
  仓库库存编号：IRLR3103PBFCT-ND
  别名：*IRLR3103TRPBF
  IRLR3103PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 140A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR7833
  仓库库存编号：IRLR7833-ND
  别名：*IRLR7833
  SP001568746
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 161A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 161A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRLU7843PBF
  仓库库存编号：IRLU7843PBF-ND
  别名：*IRLU7843PBF
  SP001578952
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 115W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD048N06L3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD048N06L3GBTMA1CT-ND
  别名：IPD048N06L3GBTMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA477EDJT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA477EDJT-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA477EDJT-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 6.5A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4426DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4426DY-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 6.5A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4426DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4426DY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 18A（Tc） 6.8W（Tc） 8-SOIC
  
  型号：SQ4425EY-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ4425EY-T1_GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4966DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4966DY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 60A 5LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 30W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2164H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2164H-EL-E-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7636DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7636DP-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4442DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4442DY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Tc） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：STS12NF30L
  仓库库存编号：497-3223-1-ND
  别名：497-3223-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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