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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4336DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4336DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4336DY-T1-E3CT
  SI4336DYT1E3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 19A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4398DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4398DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4398DY-T1-E3CT
  SI4398DYT1E3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 13.4A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7448DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7448DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7448DP-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 6-MFP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.8A（Ta） 1.47W（Ta） 6-Micro Foot?
  
  型号：SI8407DB-T2-E1
  仓库库存编号：SI8407DB-T2-E1CT-ND
  别名：SI8407DB-T2-E1CT
  SI8407DBT2E1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 19A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4398DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4398DY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 900mW（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4120NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4120NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS4120NT1GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4406DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4406DY-T1-E3-ND
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4406DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4406DY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4562DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4562DY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 13.4A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7448DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7448DP-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 60A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 20V 60A（Tc） 3.75W（Ta），120W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP60N02-4M5P-E3
  仓库库存编号：SUP60N02-4M5P-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4562DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4562DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4562DY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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  MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 55A（Tc） 107W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3103
  仓库库存编号：IRLR3103-ND
  别名：*IRLR3103
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 55A（Tc） 107W（Tc） I-Pak
  
  型号：IRLU3103
  仓库库存编号：IRLU3103-ND
  别名：*IRLU3103
  Q832191
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 55A（Tc） 107W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3103TR
  仓库库存编号：IRLR3103TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 55A（Tc） 107W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3103TRL
  仓库库存编号：IRLR3103TRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 55A（Tc） 107W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3103TRR
  仓库库存编号：IRLR3103TRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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  MOSFET N-CH 30V 140A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 140A（Tc） 140W（Tc） I-Pak
  
  型号：IRLU7833
  仓库库存编号：IRLU7833-ND
  别名：*IRLU7833
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 140A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR7833TR
  仓库库存编号：IRLR7833TR-ND
  
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  MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 140A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR7833TRL
  仓库库存编号：IRLR7833TRL-ND
  
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  MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 140A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR7833TRR
  仓库库存编号：IRLR7833TRR-ND
  
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  MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 161A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR7843TR
  仓库库存编号：IRLR7843TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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  MOSFET N-CH 40V 18A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 18A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7842TR
  仓库库存编号：IRF7842TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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  MOSFET N-CH 30V 110A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 110A（Tc） 140W（Tc） I-Pak
  
  型号：IRLU8203PBF
  仓库库存编号：IRLU8203PBF-ND
  别名：*IRLU8203PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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  MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 55A（Tc） 107W（Tc） I-Pak
  
  型号：IRLU3103PBF
  仓库库存编号：IRLU3103PBF-ND
  别名：*IRLU3103PBF
  SP001578972
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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