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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 140A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 140A（Tc） 140W（Tc） I-Pak
  
  型号：IRLU7833PBF
  仓库库存编号：IRLU7833PBF-ND
  别名：SP001553270
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 140A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 140A（Tc） 140W（Tc） I-Pak
  
  型号：IRLU7833-701PBF
  仓库库存编号：IRLU7833-701PBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 161A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 161A（Tc） 140W（Tc） I-Pak
  
  型号：IRLU7843-701PBF
  仓库库存编号：IRLU7843-701PBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 6.7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7404QTRPBF
  仓库库存编号：IRF7404QTRPBFCT-ND
  别名：IRF7404QTRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 115W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB049N06L3GATMA1
  仓库库存编号：IPB049N06L3GATMA1CT-ND
  别名：IPB049N06L3 GCT
  IPB049N06L3 GCT-ND
  IPB049N06L3G
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 161A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR7843CTRPBF
  仓库库存编号：IRLR7843CTRPBFCT-ND
  别名：IRLR7843CTRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V,
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