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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 680mA(Ta) 360mW(Ta),2.7W(Tc) 3-DFN1006B(0.6x1)
型号:
PMZB670UPE,315
仓库库存编号:
1727-1380-1-ND
别名:1727-1380-1
568-10845-1
568-10845-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1.14nC @ 4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 550mA 330mW Surface Mount SOT-666
型号:
PMDT670UPE,115
仓库库存编号:
1727-1334-1-ND
别名:1727-1334-1
568-10767-1
568-10767-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1.14nC @ 4.5V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 480MA SC-75
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 480mA(Ta) 250mW(Ta),770mW(Tc) SC-75
型号:
PMR670UPE,115
仓库库存编号:
568-10825-1-ND
别名:568-10825-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1.14nC @ 4.5V,
无铅
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