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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS8813NZ
  仓库库存编号：FDS8813NZCT-ND
  别名：FDS8813NZCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 76nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 20A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG20N50C-E3
  仓库库存编号：SIHG20N50C-E3-ND
  别名：SIHG20N50CE3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 76nC @ 10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 80V 150A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 150A（Ta） 300W（Tc） TO-220-3
  
  型号：CSD19505KCS
  仓库库存编号：296-37287-5-ND
  别名：296-37287-5
  CSD19505KCS-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 76nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 100A（Tc） 109W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN1R5-25YL,115
  仓库库存编号：1727-4275-1-ND
  别名：1727-4275-1
  568-4907-1
  568-4907-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 76nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 60V 77A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 77A（Tc） 80W（Tc） TO-220
  
  型号：STP77N6F6
  仓库库存编号：497-13553-5-ND
  别名：497-13553-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 76nC @ 10V,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 75V 78A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 78A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP78N75F4
  仓库库存编号：497-10400-5-ND
  别名：497-10400-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 76nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 16A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP350LCPBF
  仓库库存编号：IRFP350LCPBF-ND
  别名：*IRFP350LCPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 76nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 85A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85A（Tc） 2.5W（Ta），100W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD4132
  仓库库存编号：785-1217-1-ND
  别名：785-1217-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 76nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 40A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），40A（Tc） 3W（Ta），78W（Tc） Dual Cool ? 33
  
  型号：FDMC7660DC
  仓库库存编号：FDMC7660DCCT-ND
  别名：FDMC7660DCCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 76nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR804DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR804DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR804DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 76nC @ 10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Ta） 300W（Tc） DDPAK/TO-263-3
  
  型号：CSD19505KTT
  仓库库存编号：296-44040-1-ND
  别名：296-44040-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 76nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC030N08NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC030N08NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC030N08NS5ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 76nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 18A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 223W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP18N50C-E3
  仓库库存编号：SIHP18N50C-E3-ND
  别名：SIHP18N50CE3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 76nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 75V 78A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 78A（Tc） 150W（Tc） TO-220
  
  型号：STP75N75F4
  仓库库存编号：497-13395-5-ND
  别名：497-13395-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 76nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 18A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 39W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF18N50D-E3
  仓库库存编号：SIHF18N50D-E3-ND
  别名：SIHF18N50DE3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 76nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8-MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18.8A（Ta），24A（Tc） 2.3W（Ta），45W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC7664
  仓库库存编号：FDMC7664CT-ND
  别名：FDMC7664CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 76nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 75A ATPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 75A（Ta） 60W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP104-TL-H
  仓库库存编号：869-1074-1-ND
  别名：869-1074-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 76nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 100W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK100S04N1L,LQ
  仓库库存编号：TK100S04N1LLQCT-ND
  别名：TK100S04N1LLQCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 76nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 15A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 34W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHA15N60E-E3
  仓库库存编号：SIHA15N60E-E3-ND
  别名：SIHA15N60E-E3CT
  SIHA15N60E-E3CT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 76nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 17A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4455
  仓库库存编号：AO4455-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 76nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 82A（Ta） 72W（Tc） ATPAK
  
  型号：NVATS4A104PZT4G
  仓库库存编号：NVATS4A104PZT4G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 76nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 110A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 390W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP110N055P
  仓库库存编号：IXTP110N055P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 76nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 390W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA110N055P
  仓库库存编号：IXTA110N055P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 76nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 110A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 390W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ110N055P
  仓库库存编号：IXTQ110N055P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 76nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 250mW（Tc） SUPER-247（TO-274AA）
  
  型号：SIHS20N50C-E3
  仓库库存编号：SIHS20N50C-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 76nC @ 10V,
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