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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS892DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS892DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS892DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21.5nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9.7A SO-8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.7A（Ta），48A（Tc） 920mW（Ta），23.2W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4925NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4925NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS4925NT1GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21.5nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38.3A（Tc） 3.2W（Ta），19.8W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SISA18ADN-T1-GE3
  仓库库存编号：SISA18ADN-T1-GE3CT-ND
  别名：SISA18ADN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21.5nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 3.3W（Ta），14.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA18DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA18DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIRA18DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21.5nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2P-CH 40V 5.1A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 40V 5.1A 1.3W Surface Mount 8-SO
  
  型号：DMP4047SSD-13
  仓库库存编号：DMP4047SSD-13DICT-ND
  别名：DMP4047SSD-13DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 13A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 110W（Tc） TO-247
  
  型号：STW18N60M2
  仓库库存编号：497-15284-5-ND
  别名：497-15284-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1050V 6A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 130W（Tc） TO-220
  
  型号：STP10N105K5
  仓库库存编号：497-15272-5-ND
  别名：497-15272-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1050V 6A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF10N105K5
  仓库库存编号：497-15266-5-ND
  别名：497-15266-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 57W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL18N65M2
  仓库库存编号：497-15477-1-ND
  别名：497-15477-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 57W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL18N60M2
  仓库库存编号：497-15146-1-ND
  别名：497-15146-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 600 V, 0.255 OHM TYP.,
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STFH18N60M2
  仓库库存编号：497-16595-5-ND
  别名：497-16595-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 110W（Tc） TO-220
  
  型号：STP18N60M2
  仓库库存编号：497-13971-5-ND
  别名：497-13971-5
  STP18N60M2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF18N60M2
  仓库库存编号：497-13947-5-ND
  别名：497-13947-5
  STF18N60M2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB18N60M2
  仓库库存编号：497-13933-1-ND
  别名：497-13933-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21.5nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 69W（Tc） LFPAK33
  
  型号：PSMN3R9-25MLC,115
  仓库库存编号：1727-7142-1-ND
  别名：1727-7142-1
  568-9575-1
  568-9575-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21.5nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 12A SC-70
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA440DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA440DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA440DJ-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET NCH 600V 11A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 90W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
  
  型号：STL19N60M2
  仓库库存编号：STL19N60M2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1050V 6A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 130W（Tc） TO-247
  
  型号：STW10N105K5
  仓库库存编号：497-15283-5-ND
  别名：497-15283-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21.5nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA18ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA18ADP-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21.5nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA18DP-T1-RE3
  仓库库存编号：SIRA18DP-T1-RE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21.5nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38.3A（Tc） 3.2W（Ta），19.8W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS322DNT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS322DNT-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS322DNT-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21.5nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 48A SO8-FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9.7A（Ta），48A（Tc） 920mW（Ta），23.2W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4925NET1G
  仓库库存编号：NTMFS4925NET1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21.5nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38.3A（Tc） 3.2W（Ta），19.8W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SISA18DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SISA18DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SISA18DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21.5nC @ 10V,
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