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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS443DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS443DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS443DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），80A（Tc） 242W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB5800
  仓库库存编号：FDB5800CT-ND
  别名：FDB5800CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7192DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7192DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7192DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7439DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7439DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7439DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7431DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7431DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7431DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7431DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7431DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7431DP-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 19.2A（Tc） 2.9W（Ta），5.9W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4483ADY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4483ADY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4483ADY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 38.8A T0247
  详细描述：通孔 N 沟道 38.8A（Ta） 270W（Tc） TO-247
  
  型号：TK39N60W5,S1VF
  仓库库存编号：TK39N60W5S1VF-ND
  别名：TK39N60W5,S1VF(S
  TK39N60W5S1VF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 61.8A（Ta） 400W（Tc） TO-247
  
  型号：TK62N60X,S1F
  仓库库存编号：TK62N60XS1F-ND
  别名：TK62N60X,S1F(S
  TK62N60XS1F
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3P(N)
  详细描述：通孔 N 沟道 38.8A（Ta） 270W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：TK39J60W5,S1VQ
  仓库库存编号：TK39J60W5S1VQ-ND
  别名：TK39J60W5,S1VQ(O
  TK39J60W5S1VQ
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 71A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 71A（Tc） 46W（Tc） TO-220
  
  型号：IRFI3306GPBF
  仓库库存编号：IRFI3306GPBF-ND
  别名：SP001556626
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 5W（Ta），48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7149ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7149ADP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7149ADP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7439DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7439DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7439DP-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 130A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 130A（Tc） 3.8W（Ta），300W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：FDB0630N1507L
  仓库库存编号：FDB0630N1507LTR-ND
  别名：FDB0630N1507L-ND
  FDB0630N1507LTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 130A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 130A（Tc） 3.8W（Ta），300W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：FDB0630N1507L
  仓库库存编号：FDB0630N1507LCT-ND
  别名：FDB0630N1507LCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 130A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 130A（Tc） 3.8W（Ta），300W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：FDB0630N1507L
  仓库库存编号：FDB0630N1507LDKR-ND
  别名：FDB0630N1507LDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 74A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 74A（Ta） 2W（Ta），35W（Tc） TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG
  
  型号：BBL4001-1E
  仓库库存编号：BBL4001-1EOS-ND
  别名：BBL4001-1E-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 40V 120A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 143W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB7440PBF
  仓库库存编号：IRFB7440PBF-ND
  别名：SP001566700
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 40V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 208W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：IRFS7440TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS7440TRLPBFCT-ND
  别名：IRFS7440TRLPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 24.3A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 24.3A（Tc） 240W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW24N60C3
  仓库库存编号：SPW24N60C3IN-ND
  别名：SP000014695
  SPW24N60C3-ND
  SPW24N60C3FKSA1
  SPW24N60C3IN
  SPW24N60C3X
  SPW24N60C3XK
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR476DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR476DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR476DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  PT8 P Z -30V/-25V ZENER POWERTRE
  详细描述：表面贴装 P 沟道 54A（Tc） 30W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC013P030Z
  仓库库存编号：FDMC013P030Z-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 120W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SQP100N04-3M6_GE3
  仓库库存编号：SQP100N04-3M6_GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM60N20-35_GE3
  仓库库存编号：SQM60N20-35_GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 40V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 208W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB7440GPBF
  仓库库存编号：IRFB7440GPBF-ND
  别名：SP001577780
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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