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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta),80A(Tc) 242W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB5800
仓库库存编号:
FDB5800CT-ND
别名:FDB5800CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 135nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 130A
详细描述:表面贴装 N 沟道 130A(Tc) 3.8W(Ta),300W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
FDB0630N1507L
仓库库存编号:
FDB0630N1507LTR-ND
别名:FDB0630N1507L-ND
FDB0630N1507LTR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 135nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 130A
详细描述:表面贴装 N 沟道 130A(Tc) 3.8W(Ta),300W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
FDB0630N1507L
仓库库存编号:
FDB0630N1507LCT-ND
别名:FDB0630N1507LCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 135nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 130A
详细描述:表面贴装 N 沟道 130A(Tc) 3.8W(Ta),300W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
FDB0630N1507L
仓库库存编号:
FDB0630N1507LDKR-ND
别名:FDB0630N1507LDKR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 135nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 74A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 74A(Ta) 2W(Ta),35W(Tc) TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG
型号:
BBL4001-1E
仓库库存编号:
BBL4001-1EOS-ND
别名:BBL4001-1E-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 135nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
PT8 P Z -30V/-25V ZENER POWERTRE
详细描述:表面贴装 P 沟道 54A(Tc) 30W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)
型号:
FDMC013P030Z
仓库库存编号:
FDMC013P030Z-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 135nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 60A(Ta) 214W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP52N10
仓库库存编号:
NTP52N10OS-ND
别名:NTP52N10OS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 135nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 60A(Ta) 214W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP52N10G
仓库库存编号:
NTP52N10GOS-ND
别名:NTP52N10GOS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 135nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 52A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 52A(Tc) 2W(Ta),178W(Tc) D2PAK
型号:
NTB52N10T4G
仓库库存编号:
NTB52N10T4GOSCT-ND
别名:NTB52N10T4GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 135nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 100A(Ta) 1.75W(Ta),75W(Tc) TO-220-3
型号:
2SK4171
仓库库存编号:
869-1048-ND
别名:869-1048
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 135nC @ 10V,
无铅
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