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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB47N10SL-26
  仓库库存编号：IPB47N10SL26ATMA1CT-ND
  别名：IPB47N10SL-26CT
  IPB47N10SL-26CT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 40V 120A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 208W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL7440PBF
  仓库库存编号：IRFSL7440PBF-ND
  别名：SP001573650
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI47N10SL26AKSA1
  仓库库存编号：IPI47N10SL26AKSA1-ND
  别名：IPI47N10SL-26
  IPI47N10SL-26-ND
  SP000225704
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 24.3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 24.3A（Tc） 240W（Tc） TO-220-3
  
  型号：SPP24N60C3XKSA1
  仓库库存编号：SPP24N60C3XKSA1-ND
  别名：SP000681068
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 60A（Ta） 214W（Tc） TO-220AB
  
  型号：NTP52N10
  仓库库存编号：NTP52N10OS-ND
  别名：NTP52N10OS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 60A（Ta） 214W（Tc） TO-220AB
  
  型号：NTP52N10G
  仓库库存编号：NTP52N10GOS-ND
  别名：NTP52N10GOS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 5.4W（Ta），96W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7138DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7138DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7138DP-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 52A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 52A（Tc） 2W（Ta），178W（Tc） D2PAK
  
  型号：NTB52N10T4G
  仓库库存编号：NTB52N10T4GOSCT-ND
  别名：NTB52N10T4GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 21A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 21A（Tc） 230W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXFC24N50
  仓库库存编号：IXFC24N50-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 23A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 23A（Tc） 230W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXFC26N50
  仓库库存编号：IXFC26N50-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 100A（Ta） 1.75W（Ta），75W（Tc） TO-220-3
  
  型号：2SK4171
  仓库库存编号：869-1048-ND
  别名：869-1048
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 5.4W（Ta），96W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7138DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7138DP-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 115A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 115A（Tc） 136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50N04-05L-E3
  仓库库存编号：SUD50N04-05L-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 1.8W（Ta），115W（Tc） TO-262
  
  型号：NP80N055NDG-S18-AY
  仓库库存编号：NP80N055NDG-S18-AY-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 1.2W（Ta），105W（Tc） TO-252
  
  型号：NP90N04VUG-E1-AY
  仓库库存编号：NP90N04VUG-E1-AYCT-ND
  别名：NP90N04VUG-E1-AYCT
  NP90N04VUGE1AY
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 60A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 1.2W（Ta），105W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
  
  型号：NP60N03SUG-E1-AY
  仓库库存编号：NP60N03SUG-E1-AYCT-ND
  别名：NP60N03SUG-E1-AYCT
  NP60N03SUGE1AY
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 1.8W（Ta），115W（Tc） TO-263
  
  型号：NP80N04PLG-E1B-AY
  仓库库存编号：NP80N04PLG-E1B-AYCT-ND
  别名：NP80N04PLG-E1B-AYCT
  NP80N04PLGE1BAY
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 1.8W（Ta），115W（Tc） TO-263
  
  型号：NP80N04PUG-E1B-AY
  仓库库存编号：NP80N04PUG-E1B-AYCT-ND
  别名：NP80N04PUG-E1B-AYCT
  NP80N04PUGE1BAY
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 90A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 1.2W（Ta），105W（Tc） TO-252
  
  型号：NP90N06VLG-E1-AY
  仓库库存编号：NP90N06VLG-E1-AYCT-ND
  别名：NP90N06VLG-E1-AYCT
  NP90N06VLGE1AY
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 90A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 1.2W（Ta），105W（Tc） TO-252
  
  型号：NP90N03VHG-E1-AY
  仓库库存编号：NP90N03VHG-E1-AY-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 90A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 1.2W（Ta），105W（Tc） TO-252
  
  型号：NP90N03VLG-E1-AY
  仓库库存编号：NP90N03VLG-E1-AY-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 17.5A/85A
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 17.5A（Ta），85A（Tc） 2.1W（Ta），50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF262L
  仓库库存编号：785-1714-5-ND
  别名：785-1714-5
  AOTF262L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 21A（Tc） 230W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXFC24N50Q
  仓库库存编号：IXFC24N50Q-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB47N10L
  仓库库存编号：SPB47N10L-ND
  别名：SP000012078
  SPB47N10LT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 47A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI47N10L
  仓库库存编号：SPI47N10L-ND
  别名：SP000013952
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
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