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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 24.3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 24.3A（Tc） 240W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP24N60C3HKSA1
  仓库库存编号：SPP24N60C3HKSA1-ND
  别名：SPP24N60C3
  SPP24N60C3-ND
  SPP24N60C3IN
  SPP24N60C3IN-ND
  SPP24N60C3X
  SPP24N60C3XK
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 47A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP47N10L
  仓库库存编号：SPP47N10L-ND
  别名：SP000012102
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 47A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP47N10SL26AKSA1
  仓库库存编号：IPP47N10SL26AKSA1-ND
  别名：IPP47N10SL-26
  IPP47N10SL-26-ND
  IPP47N10SL26
  SP000225707
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 135nC @ 10V,
• 无铅
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