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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 40A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7356ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7356ADP-T1-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 145nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 349W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK751R8-40E,127
仓库库存编号:
1727-7234-ND
别名:1727-7234
568-9838-5
568-9838-5-ND
934066479127
BUK751R840E127
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 145nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 71A DFN5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 71A(Ta),200A(Tc) 7.3W(Ta),83W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6500_001
仓库库存编号:
AON6500_001-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 145nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 25V 71A DFN5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 71A(Ta),200A(Tc) 7.3W(Ta),83W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6522_002
仓库库存编号:
AON6522_002-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 145nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 58A(Tc) 36W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM120N10PQ56 RLG
仓库库存编号:
TSM120N10PQ56 RLGTR-ND
别名:TSM120N10PQ56 RLGTR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 145nC @ 10V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 58A(Tc) 36W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM120N10PQ56 RLG
仓库库存编号:
TSM120N10PQ56 RLGCT-ND
别名:TSM120N10PQ56 RLGCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 145nC @ 10V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 58A(Tc) 36W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM120N10PQ56 RLG
仓库库存编号:
TSM120N10PQ56 RLGDKR-ND
别名:TSM120N10PQ56 RLGDKR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 145nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI100N04S303AKSA1
仓库库存编号:
IPI100N04S303AKSA1-ND
别名:IPI100N04S3-03
IPI100N04S3-03-ND
SP000261223
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 145nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 61.8A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 100V 61.8A(Tc) 60W(Tc) TO-220F
型号:
PSMN5R6-100XS,127
仓库库存编号:
568-9496-5-ND
别名:568-9496-5
934066041127
PSMN5R6-100XS,127-ND
PSMN5R6-100XS127
PSMN5R6100XS127
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 145nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 120A(Tc) 349W(Tc) D2PAK
型号:
BUK761R5-40EJ
仓库库存编号:
BUK761R5-40EJ-ND
别名:934067767118
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 145nC @ 10V,
无铅
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