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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 18.5A（Ta） 88W（Tc） D2PAK
  
  型号：NTB5605PT4G
  仓库库存编号：NTB5605PT4GOSCT-ND
  别名：NTB5605PT4GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（SOT23-6）
  
  型号：IRLMS2002TRPBF
  仓库库存编号：IRLMS2002PBFCT-ND
  别名：*IRLMS2002TRPBF
  IRLMS2002PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 5V,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 2.1W（Ta），55W（Tj） DPAK
  
  型号：NTD18N06LT4G
  仓库库存编号：NTD18N06LT4GOSCT-ND
  别名：NTD18N06LT4GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 15A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），66A（Tc） 3.2W（Ta），63W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD6670A
  仓库库存编号：FDD6670ACT-ND
  别名：FDD6670ACT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta） 1.8W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7607TRPBF
  仓库库存编号：IRF7607TRPBFCT-ND
  别名：IRF7607TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 5V,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 80W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB75NH02LT4
  仓库库存编号：497-3515-1-ND
  别名：497-3515-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 5V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD06N03LB G
  仓库库存编号：IPD06N03LBGINCT-ND
  别名：IPD06N03LBG
  IPD06N03LBGINCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 5V,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 18.5A（Ta） 88W（Tc） D2PAK
  
  型号：NTBV5605T4G
  仓库库存编号：NTBV5605T4G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 5V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 50A（Tc） 83W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU06N03LAGXK
  仓库库存编号：IPU06N03LAGXK-ND
  别名：IPU06N03LA
  IPU06N03LA G
  IPU06N03LAGIN
  IPU06N03LAGIN-ND
  IPU06N03LAGX
  IPU06N03LAGXTIN
  IPU06N03LAGXTIN-ND
  IPU06N03LAIN
  IPU06N03LAIN-ND
  SP000017594
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 25V 60A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 60A（Tc） 70W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD90N02L-1
  仓库库存编号：STD90N02L-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 5V,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 25V 60A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 60A（Tc） 70W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD90N02L
  仓库库存编号：497-7978-1-ND
  别名：497-7978-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 5V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
  
  型号：TPC8207(TE12L)
  仓库库存编号：TPC8207DKR-ND
  别名：TPC8207DKR
  TPC8207TE12L
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 18A（Ta） 2.1W（Ta），55W（Tj） DPAK
  
  型号：NTD18N06LT4
  仓库库存编号：NTD18N06LT4OS-ND
  别名：NTD18N06LT4OS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 5V,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 18A（Ta） 2.1W（Ta），55W（Tj） I-Pak
  
  型号：NTD18N06L-001
  仓库库存编号：NTD18N06L-001OS-ND
  别名：NTD18N06L-001OS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 5V,
• 含铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 3W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS7096N3
  仓库库存编号：FDS7096N3CT-ND
  别名：FDS7096N3_NLCT
  FDS7096N3_NLCT-ND
  FDS7096N3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 5V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
  
  型号：TPC8207(TE12L,Q)
  仓库库存编号：TPC8207(TE12L,Q)-ND
  别名：TPC8207TE12LQ
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 3W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS7098N3
  仓库库存编号：FDS7098N3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 18.5A（Ta） 88W（Tc） D2PAK
  
  型号：NTB5605P
  仓库库存编号：NTB5605P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 18.5A（Ta） 88W（Tc） D2PAK
  
  型号：NTB5605PT4
  仓库库存编号：NTB5605PT4-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 18A（Ta） 2.1W（Ta），55W（Tj） DPAK
  
  型号：NTD18N06L
  仓库库存编号：NTD18N06L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 5V,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 18A（Ta） 2.1W（Ta），55W（Tj） I-Pak
  
  型号：NTD18N06L-1G
  仓库库存编号：NTD18N06L-1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 18.5A（Ta） 88W（Tc） D2PAK
  
  型号：NTB5605T4G
  仓库库存编号：NTB5605T4G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：NDS8410A
  仓库库存编号：NDS8410A-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 18A（Ta） 2.1W（Ta），55W（Tj） DPAK-3
  
  型号：NTDV18N06LT4G
  仓库库存编号：NTDV18N06LT4G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 6.5A（Ta） 1.8W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7607
  仓库库存编号：IRF7607-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 5V,
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