品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 51A(Tc) 80W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ44ZSTRRPBF
仓库库存编号:
IRFZ44ZSTRRPBFCT-ND
别名:IRFZ44ZSTRRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 51A(Tc) 80W(Tc) TO-262
型号:
IRFZ44ZLPBF
仓库库存编号:
IRFZ44ZLPBF-ND
别名:*IRFZ44ZLPBF
SP001571852
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 51A(Tc) 80W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ44ZPBF
仓库库存编号:
IRFZ44ZPBF-ND
别名:*IRFZ44ZPBF
SP001578606
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 16A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 139W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB60R199CP
仓库库存编号:
IPB60R199CPCT-ND
别名:IPB60R199CPCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 34W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R199CPXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R199CPXKSA1-ND
别名:IPA60R199CP
IPA60R199CP-ND
SP000094146
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 139W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R199CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP60R199CPXKSA1-ND
别名:IPP60R199CP
IPP60R199CP-ND
IPP60R199CPAKSA1
IPP60R199CPIN
IPP60R199CPIN-ND
IPP60R199CPX
IPP60R199CPXK
SP000084278
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 13.8A(Tc) 104W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI60R280C6XKSA1
仓库库存编号:
IPI60R280C6XKSA1-ND
别名:IPI60R280C6
IPI60R280C6-ND
SP000687554
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD90N04S404ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N04S404ATMA1CT-ND
别名:IPD90N04S404ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 13.8A(Tc) 104W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R280P6XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R280P6XKSA1-ND
别名:SP001017062
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 13.8A(Tc) 32W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R280C6
仓库库存编号:
IPA60R280C6-ND
别名:IPA60R280C6XKSA1
SP000645030
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 13.8A(Tc) 104W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R280C6
仓库库存编号:
IPW60R280C6-ND
别名:IPW60R280C6FKSA1
SP000645032
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 71W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N04S404ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N04S404ATMA1CT-ND
别名:IPB80N04S404ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.8A(Tc) 104W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB60R280C6
仓库库存编号:
IPB60R280C6CT-ND
别名:IPB60R280C6CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 63W(Tc) PG-TDSON-8-23
型号:
IPC60N04S4L06ATMA1
仓库库存编号:
IPC60N04S4L06ATMA1-ND
别名:SP001161210
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 18A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR18N15DTRPBF
仓库库存编号:
IRFR18N15DTRPBFCT-ND
别名:IRFR18N15DTRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 71W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N04S404AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N04S404AKSA1-ND
别名:IPP80N04S4-04
IPP80N04S4-04-ND
SP000646196
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3-1
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 71W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N04S404AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N04S404AKSA1-ND
别名:IPI80N04S4-04
IPI80N04S4-04-ND
SP000646190
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 19.3A(Tc) 32W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAW60R280CEXKSA1
仓库库存编号:
IPAW60R280CEXKSA1-ND
别名:SP001391614
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 51A(Tc) 80W(Tc) TO-220
型号:
AUIRFZ44Z
仓库库存编号:
AUIRFZ44Z-ND
别名:SP001520460
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 51A(Tc) 80W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFZ44ZSTRL
仓库库存编号:
AUIRFZ44ZSTRL-ND
别名:SP001519700
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 13.8A(Tc) 104W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R280C6XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R280C6XKSA1-ND
别名:IPP60R280C6
IPP60R280C6-ND
SP000645028
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 13.8A(Tc) 32W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R280E6XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R280E6XKSA1-ND
别名:IPA60R280E6
IPA60R280E6-ND
SP000797292
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
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MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 13.8A(Tc) 104W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R280E6XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R280E6XKSA1-ND
别名:IPP60R280E6
IPP60R280E6-ND
SP000797290
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 16A(Tc) 139W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB60R199CPAATMA1
仓库库存编号:
IPB60R199CPAATMA1-ND
别名:SP000539966
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 16A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 16A(Tc) 139W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI60R199CPXKSA1
仓库库存编号:
IPI60R199CPXKSA1-ND
别名:IPI60R199CP
IPI60R199CP-ND
IPI60R199CPX
IPI60R199CPXK
SP000103248
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
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