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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 9.8A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.8A(Ta) 1.54W(Ta) 8-SO
型号:
DMS3016SSS-13
仓库库存编号:
DMS3016SSS-13DICT-ND
别名:DMS3016SSS-13DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.8A(Ta) 1.54W(Ta) 8-SOP
型号:
DMG4710SSS-13
仓库库存编号:
DMG4710SSS-13DICT-ND
别名:DMG4710SSS-13DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.8A(Ta) 800mW(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMS7N03R2G
仓库库存编号:
NTMS7N03R2GOSCT-ND
别名:NTMS7N03R2GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 65W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD050N03B
仓库库存编号:
FDD050N03BCT-ND
别名:FDD050N03BCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 8A 4W Surface Mount
型号:
SQ4940AEY-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ4940AEY-T1_GE3CT-ND
别名:SQ4940AEY-T1_GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 27A(Tc) 3.75W(Ta),120W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB27P06TM
仓库库存编号:
FQB27P06TMCT-ND
别名:FQB27P06TMCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),44.5W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR878DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR878DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR878DP-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 45A LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 45A(Ta) 50W(Tc) LPTS
型号:
RSJ450N04TL
仓库库存编号:
RSJ450N04TLCT-ND
别名:RSJ450N04TLCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 26A(Tc) 5.2W(Ta),64W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7430DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7430DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7430DP-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 600 V, 0.115 OHM TYP.,
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 150W(Tc) PowerFlat?(8x8) HV
型号:
STL33N60DM2
仓库库存编号:
497-16941-1-ND
别名:497-16941-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 18.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18.5A(Tc) 250W(Tc) D2PAK
型号:
STB21N90K5
仓库库存编号:
497-12851-1-ND
别名:497-12851-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD90N04S404ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N04S404ATMA1CT-ND
别名:IPD90N04S404ATMA1CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 74A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 74A(Tc) 148W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN012-80BS,118
仓库库存编号:
1727-7206-1-ND
别名:1727-7206-1
568-9697-1
568-9697-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 18.5A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 18.5A(Tc) 250W(Tc) TO-247-3
型号:
STW21N90K5
仓库库存编号:
497-12873-5-ND
别名:497-12873-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 13.8A(Tc) 104W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R280P6XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R280P6XKSA1-ND
别名:SP001017062
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 5.9A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI630GPBF
仓库库存编号:
IRFI630GPBF-ND
别名:*IRFI630GPBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 24A
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 190W(Tc) TO-220
型号:
STP33N60DM2
仓库库存编号:
497-16352-5-ND
别名:497-16352-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 24A
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 190W(Tc) TO-247
型号:
STW33N60DM2
仓库库存编号:
497-16353-5-ND
别名:497-16353-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 13.8A(Tc) 32W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R280C6
仓库库存编号:
IPA60R280C6-ND
别名:IPA60R280C6XKSA1
SP000645030
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 13.8A(Tc) 104W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R280C6
仓库库存编号:
IPW60R280C6-ND
别名:IPW60R280C6FKSA1
SP000645032
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 71W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N04S404ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N04S404ATMA1CT-ND
别名:IPB80N04S404ATMA1CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 14A POWER33
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta),20A(Tc) 2W(Ta),41W(Tc) Power33
型号:
FDMC8462
仓库库存编号:
FDMC8462CT-ND
别名:FDMC8462CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 3W(Ta),74W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
IRF630STRLPBF
仓库库存编号:
IRF630STRLPBFCT-ND
别名:IRF630STRLPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 100A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Ta) 3.1W(Ta),156W(Tc) 8-VSONP(5x6)
型号:
CSD18531Q5AT
仓库库存编号:
296-41958-1-ND
别名:296-41958-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 10.2A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 10.2A(Tc) 33W(Tc) TO-220F
型号:
FCPF380N65FL1
仓库库存编号:
FCPF380N65FL1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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