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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 15.8A(Ta) 130W(Tc) TO-220
型号:
TK16E60W5,S1VX
仓库库存编号:
TK16E60W5S1VX-ND
别名:TK16E60W5,S1VX(S
TK16E60W5S1VX
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP450P2
仓库库存编号:
IXTP450P2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
不受无铅要求限制
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 300W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ450P2
仓库库存编号:
IXTQ450P2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
不受无铅要求限制
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 24A
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 190W(Tc) D2PAK
型号:
STB33N60DM2
仓库库存编号:
497-16354-1-ND
别名:497-16354-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH450P2
仓库库存编号:
IXTH450P2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
不受无铅要求限制
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 20V 18A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta),45A(Tc) 2.5W(Ta),100W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD424
仓库库存编号:
785-1565-1-ND
别名:785-1565-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 20V 20A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4402
仓库库存编号:
785-1549-1-ND
别名:785-1549-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.8A(Tc) 104W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB60R280C6
仓库库存编号:
IPB60R280C6CT-ND
别名:IPB60R280C6CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP16N50P
仓库库存编号:
IXTP16N50P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 150W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL210N4F7AG
仓库库存编号:
STL210N4F7AG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 250W(Tc) D2PAK
型号:
STB30N80K5
仓库库存编号:
STB30N80K5-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 24A TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 250W(Tc) TO-247-3
型号:
STW30N80K5
仓库库存编号:
STW30N80K5-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 9.8A SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.8A(Ta) 1.54W(Ta) 8-SO
型号:
DMS3016SSSA-13
仓库库存编号:
DMS3016SSSA-13DICT-ND
别名:DMS3016SSSA-13DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11.6A SO-8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.6A(Ta),79A(Tc) 920mW(Ta),43W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4936NCT1G
仓库库存编号:
NTMFS4936NCT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11.6A SO-8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.6A(Ta),79A(Tc) 920mW(Ta),43W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4936NCT3G
仓库库存编号:
NTMFS4936NCT3G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V SOT96-1
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.5W(Tc) 8-SO
型号:
PSMN038-100K,518
仓库库存编号:
PSMN038-100K,518-ND
别名:934056595518
PSMN038-100K /T3
PSMN038-100K /T3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7726DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7726DN-T1-GE3TR-ND
别名:SI7726DN-T1-GE3TR
SI7726DNT1GE3
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 20V 18A 8ULTRASO
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta),45A(Tc) 2.1W(Ta),60W(Tc) UltraSO-8?
型号:
AOL1404
仓库库存编号:
AOL1404-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 6.8W(Tc) 8-SOIC
型号:
SQ4064EY-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ4064EY-T1_GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
PT8N 40V N-CHANNEL LL POWERTRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 75W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
FDD9410L_F085
仓库库存编号:
FDD9410L_F085-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 150W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
HUF76629D3ST_F085
仓库库存编号:
HUF76629D3ST_F085CT-ND
别名:HUF76629D3ST_F085CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 74A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 74A(Tc) 148W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN012-80PS,127
仓库库存编号:
1727-4270-ND
别名:1727-4270
568-4902-5
568-4902-5-ND
934063911127
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
40V DUAL AUTO N-CH POWER TRENCH
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A (Tc) 75W Surface Mount 8-PQFN (5x6)
型号:
FDWS9420_F085
仓库库存编号:
FDWS9420_F085-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 3.6A(Ta) 3.2W(Ta),70W(Tc) TO-252
型号:
FDD2670
仓库库存编号:
FDD2670CT-ND
别名:FDD2670CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 50A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 2.5W(Ta),75W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SQD45N05-20L-GE3
仓库库存编号:
SQD45N05-20L-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
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