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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A D2-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 300W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA16N50P
仓库库存编号:
IXTA16N50P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A D2-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 300W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA16N50P
仓库库存编号:
IXFA16N50P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 300W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ16N50P
仓库库存编号:
IXTQ16N50P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 22A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 22A(Tc) 265W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT5024BLLG
仓库库存编号:
APT5024BLLG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 63W(Tc) PG-TDSON-8-23
型号:
IPC60N04S4L06ATMA1
仓库库存编号:
IPC60N04S4L06ATMA1-ND
别名:SP001161210
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 18A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR18N15DTRPBF
仓库库存编号:
IRFR18N15DTRPBFCT-ND
别名:IRFR18N15DTRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 71W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N04S404AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N04S404AKSA1-ND
别名:IPP80N04S4-04
IPP80N04S4-04-ND
SP000646196
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3-1
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 71W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N04S404AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N04S404AKSA1-ND
别名:IPI80N04S4-04
IPI80N04S4-04-ND
SP000646190
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 19.3A(Tc) 32W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAW60R280CEXKSA1
仓库库存编号:
IPAW60R280CEXKSA1-ND
别名:SP001391614
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 51A(Tc) 80W(Tc) TO-220
型号:
AUIRFZ44Z
仓库库存编号:
AUIRFZ44Z-ND
别名:SP001520460
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 51A(Tc) 80W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFZ44ZSTRL
仓库库存编号:
AUIRFZ44ZSTRL-ND
别名:SP001519700
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 13.8A(Tc) 104W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R280C6XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R280C6XKSA1-ND
别名:IPP60R280C6
IPP60R280C6-ND
SP000645028
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 13.8A(Tc) 32W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R280E6XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R280E6XKSA1-ND
别名:IPA60R280E6
IPA60R280E6-ND
SP000797292
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 13.8A(Tc) 104W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R280E6XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R280E6XKSA1-ND
别名:IPP60R280E6
IPP60R280E6-ND
SP000797290
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 16A(Tc) 139W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB60R199CPAATMA1
仓库库存编号:
IPB60R199CPAATMA1-ND
别名:SP000539966
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 16A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 16A(Tc) 139W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI60R199CPXKSA1
仓库库存编号:
IPI60R199CPXKSA1-ND
别名:IPI60R199CP
IPI60R199CP-ND
IPI60R199CPX
IPI60R199CPXK
SP000103248
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 13.8A(Tc) 104W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R280E6
仓库库存编号:
IPW60R280E6-ND
别名:IPW60R280E6FKSA1
SP000797382
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 16A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 16A(Tc) 139W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R199CP
仓库库存编号:
IPW60R199CP-ND
别名:IPW60R199CPFKSA1
IPW60R199CPX
IPW60R199CPXK
SP000089802
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 400V 10A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF740
仓库库存编号:
497-2931-5-ND
别名:497-2931-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9A(Tc) 3W(Ta),74W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
IRF630S
仓库库存编号:
IRF630S-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 200V 5.9A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI630G
仓库库存编号:
IRFI630G-ND
别名:*IRFI630G
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9A(Tc) I2PAK
型号:
IRF630L
仓库库存编号:
IRF630L-ND
别名:*IRF630L
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9A(Tc) 3W(Ta),74W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
IRF630STRL
仓库库存编号:
IRF630STRL-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9A(Tc) 3W(Ta),74W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
IRF630STRR
仓库库存编号:
IRF630STRR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 4.8A(Ta) 800mW(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMS7N03R2
仓库库存编号:
NTMS7N03R2OS-ND
别名:NTMS7N03R2OS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
含铅
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