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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 33W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF12N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHF12N60E-GE3CT-ND
别名:SIHF12N60E-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 14A(Tc) 3.8W(Ta),79W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9530NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF9530NSTRLPBFCT-ND
别名:IRF9530NSTRLPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 14A(Tc) 79W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9530NPBF
仓库库存编号:
IRF9530NPBF-ND
别名:*IRF9530NPBF
SP001570634
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 9A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 280W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA9N90C_F109
仓库库存编号:
FQA9N90C_F109-ND
别名:FQA9N90CF109
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 33W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHA12N60E-E3
仓库库存编号:
SIHA12N60E-E3-ND
别名:SIHA12N60E-E3CT
SIHA12N60E-E3CT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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Micro Commercial Co
N-CHANNEL MOSFET, SOP-8 PACKAGE
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.2A(Ta) 1.25W(Ta) 8-SOP
型号:
MCQ4438-TP
仓库库存编号:
MCQ4438-TPMSCT-ND
别名:MCQ4438-TPMSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 70A (Tc) 187W Surface Mount PowerPAK? 8 x 8 Dual
型号:
SQJQ910EL-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJQ910EL-T1_GE3CT-ND
别名:SQJQ910EL-T1_GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 16A 8DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Ta),32A(Tc) 3.1W(Ta),96W(Tc) 8-DFN(3x3)
型号:
AON7409
仓库库存编号:
AON7409-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333
详细描述:表面贴装 P 沟道 9.8A(Ta) 940mW(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMG7401SFGQ-13
仓库库存编号:
DMG7401SFGQ-13DI-ND
别名:DMG7401SFGQ-13DI
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 9.8A(Ta) 940mW(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMG7401SFGQ-7
仓库库存编号:
DMG7401SFGQ-7DI-ND
别名:DMG7401SFGQ-7DI
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.2A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4438
仓库库存编号:
785-1032-1-ND
别名:785-1032-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 15A(Tc) 6.8W(Tc) 8-SOIC
型号:
SQ4435EY-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ4435EY-T1_GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 900V 9A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 9A(Tc) 50W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF9N90
仓库库存编号:
AOTF9N90-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 147W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SIHB12N60ET1-GE3
仓库库存编号:
SIHB12N60ET1-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 147W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SIHB12N60ET5-GE3
仓库库存编号:
SIHB12N60ET5-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 147W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP12N60E-E3
仓库库存编号:
SIHP12N60E-E3-ND
别名:SIHP12N60EE3
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 14A TO-200AB
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 208W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP14N50D-E3
仓库库存编号:
SIHP14N50D-E3-ND
别名:SIHP14N50DE3
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 14A TO-200AB
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 208W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP14N50D-GE3
仓库库存编号:
SIHP14N50D-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP120N04T2
仓库库存编号:
IXTP120N04T2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 120A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 200W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA120N04T2
仓库库存编号:
IXTA120N04T2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 208W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG14N50D-GE3
仓库库存编号:
SIHG14N50D-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 900V 9A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 368W(Tc) TO-247
型号:
AOK9N90
仓库库存编号:
AOK9N90-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 132A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9W(Ta), 198W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS6B03NT3G
仓库库存编号:
NVMFS6B03NT3G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 132A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9W(Ta), 198W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS6B03NWFT3G
仓库库存编号:
NVMFS6B03NWFT3G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 132A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9W(Ta), 198W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS6B03NT1G
仓库库存编号:
NVMFS6B03NT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
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