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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 132A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9W(Ta), 198W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS6B03NWFT1G
仓库库存编号:
NVMFS6B03NWFT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 7A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 290W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT7F100B
仓库库存编号:
APT7F100B-ND
别名:APT7F100BMI
APT7F100BMI-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 22A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 400W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH22N60P
仓库库存编号:
IXFH22N60P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET 2N-CH 600V 12A I4-PAC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 600V 12A 130W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
型号:
FMM22-06PF
仓库库存编号:
FMM22-06PF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 38A(Tc) 80W(Tc) D2PAK
型号:
STB45NF06
仓库库存编号:
497-5731-1-ND
别名:497-5731-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 28A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 28A(Tc) 70W(Tc) D-Pak
型号:
STD30NF06
仓库库存编号:
497-5734-1-ND
别名:497-5734-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 800V 10A(Tc) 240W(Tc) TO-3P
型号:
FQA10N80C
仓库库存编号:
FQA10N80C-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 9A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 9A(Tc) 280W(Tc) TO-3P
型号:
FQA9N90C
仓库库存编号:
FQA9N90C-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 22A(Tc) 400W(Tc) PLUS220
型号:
IXFV22N60P
仓库库存编号:
IXFV22N60P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220-SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 22A(Tc) 400W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXFV22N60PS
仓库库存编号:
IXFV22N60PS-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 12A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 12A(Tc) 130W(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXFC22N60P
仓库库存编号:
IXFC22N60P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 27A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 27A(Tc) 300W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT5018BLLG
仓库库存编号:
APT5018BLLG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 900V 8A TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 900V 8A(Ta) 85W(Tc) TO-3P(N)IS
型号:
2SK2847(F)
仓库库存编号:
2SK2847(F)-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 14A TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 500V 14A(Ta) 80W(Tc) TO-3P(N)IS
型号:
2SK2916(F)
仓库库存编号:
2SK2916(F)-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 6.3A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2W Surface Mount 8-SOIC
型号:
AO4826
仓库库存编号:
785-1061-2-ND
别名:785-1061-2
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 8A(Tc) 68W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF9N90C
仓库库存编号:
FQPF9N90C-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 50A ATPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 50A(Ta) 50W(Tc) ATPAK
型号:
ATP213-TL-H
仓库库存编号:
869-1085-1-ND
别名:869-1085-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 20A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4190DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4190DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4190DY-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 20A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Ta),105A(Tc) 1.9W(Ta),176W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB210L
仓库库存编号:
785-1323-1-ND
别名:785-1323-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 8.4A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 8.4A(Tc) 36W(Tc) TO-220FP
型号:
NDF08N60ZH
仓库库存编号:
NDF08N60ZH-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 70A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 23A(Ta),70A(Tc) 2.7W(Ta),150W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD210
仓库库存编号:
AOD210-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 20A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 30V 20A(Ta),105A(Tc) 1.9W(Ta),176W(Tc) TO-220
型号:
AOT210L
仓库库存编号:
AOT210L-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 70A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 23A(Ta),70A(Tc) 2.7W(Ta),150W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD210_001
仓库库存编号:
AOD210_001-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 14A(Tc) 3.8W(Ta),79W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9530NS
仓库库存编号:
IRF9530NS-ND
别名:*IRF9530NS
SP001555896
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 100V 14A(Tc) 3.8W(Ta),79W(Tc) TO-262
型号:
IRF9530NL
仓库库存编号:
IRF9530NL-ND
别名:*IRF9530NL
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
含铅
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