以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），69W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR800DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR800DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR800DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 133nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 35A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS7556S
  仓库库存编号：FDMS7556SCT-ND
  别名：FDMS7556SCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 133nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 31A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS0300S
  仓库库存编号：FDMS0300SCT-ND
  别名：FDMS0300SCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 133nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 80V 120A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 214W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP039N08B_F102
  仓库库存编号：FDP039N08B_F102-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 133nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS7656AS
  仓库库存编号：FDMS7656ASCT-ND
  别名：FDMS7656ASCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 133nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 50A（Tc） 69W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR800DP-T1-RE3
  仓库库存编号：SIR800DP-T1-RE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 133nC @ 10V,
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 100A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 100A（Ta） 1.5W（Ta），156W（Tc） TO-262
  
  型号：N0603N-S23-AY
  仓库库存编号：N0603N-S23-AY-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 133nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 100A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 1.5W（Ta），156W（Tc） TO-220-3
  
  型号：N0602N-S19-AY
  仓库库存编号：N0602N-S19-AY-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 133nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  PTNG 100V N-CHANNEL POWER TRENCH
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 429W（Tc） 8-HPSOF
  
  型号：FDBL0200N100
  仓库库存编号：FDBL0200N100-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 133nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 231W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FDI040N06
  仓库库存编号：FDI040N06-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 133nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 120A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 231W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP040N06
  仓库库存编号：FDP040N06-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 133nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 231W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB039N06
  仓库库存编号：FDB039N06CT-ND
  别名：FDB039N06CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 133nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Ta） 1.5W（Ta），156W（Tc） TO-263
  
  型号：N0601N-ZK-E1-AY
  仓库库存编号：N0601N-ZK-E1-AY-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 133nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索