规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 88nC @ 10V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(41)
分立半导体产品
(41)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (4)
Infineon Technologies (6)
IXYS (3)
Microsemi Corporation (2)
Nexperia USA Inc. (2)
NXP USA Inc. (1)
Fairchild/ON Semiconductor (8)
ON Semiconductor (3)
Rohm Semiconductor (1)
STMicroelectronics (2)
Toshiba Semiconductor and Storage (1)
Vishay Siliconix (8)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 27A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Ta），85A（Tc） 2.3W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6240
仓库库存编号：
785-1334-1-ND
别名：785-1334-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 88nC @ 10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 158W（Tc） DPAK
型号：
BUK625R0-40C,118
仓库库存编号：
1727-5434-1-ND
别名：1727-5434-1
568-6901-1
568-6901-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 88nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 98A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 13.4A（Ta），98A（Tc） 139W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC077N12NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC077N12NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC077N12NS3 GCT
BSC077N12NS3 GCT-ND
BSC077N12NS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 88nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 85A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 85A（Tc） 268W（Tc） TO-220
型号：
AOT460
仓库库存编号：
785-1146-5-ND
别名：785-1146-1
785-1146-1-ND
785-1146-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 88nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 25A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 278W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG25N40D-E3
仓库库存编号：
SIHG25N40D-E3-ND
别名：SIHG25N40DE3
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 88nC @ 10V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 150W（Tc） TO-3PF
型号：
R6025ANZC8
仓库库存编号：
R6025ANZC8-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 88nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 48A
详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 360W（Tc） TO-247
型号：
STW56N65DM2
仓库库存编号：
497-16337-5-ND
别名：497-16337-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 88nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 48A
详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 360W（Tc） TO-247
型号：
STW58N65DM2AG
仓库库存编号：
497-16137-5-ND
别名：497-16137-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 88nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 63A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 63A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
型号：
SUP10250E-GE3
仓库库存编号：
SUP10250E-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 88nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 25A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 278W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG25N40D-GE3
仓库库存编号：
SIHG25N40D-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 88nC @ 10V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 50A SOP-8 ADV
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPCA8028-H(TE12LQM
仓库库存编号：
TPCA8028-HTE12LQMCT-ND
别名：TPCA8028-HTE12LQMCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 88nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 28A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta），116A（Tc） 2.5W（Ta），78W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS8820
仓库库存编号：
FDMS8820CT-ND
别名：FDMS8820CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 88nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 227W（Tj） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD86367_F085
仓库库存编号：
FDD86367_F085CT-ND
别名：FDD86367_F085CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 88nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 63.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 63.5A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
SUM10250E-GE3
仓库库存编号：
SUM10250E-GE3TR-ND
别名：SUM10250E-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 88nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 63.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 63.5A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
SUM10250E-GE3
仓库库存编号：
SUM10250E-GE3CT-ND
别名：SUM10250E-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 88nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 8A TO-3PF
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 120W（Tc） TO-3PF
型号：
FQAF13N80
仓库库存编号：
FQAF13N80-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 88nC @ 10V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 219W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT30N60BC6
仓库库存编号：
APT30N60BC6-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 88nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 56A POWER33
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），56A（Tc） 2.3W（Ta），54W（Tc） Power33
型号：
FDMC86570L
仓库库存编号：
FDMC86570LCT-ND
别名：FDMC86570LCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 88nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 56A POWER33
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），87A（Tc） 2.8W（Ta），65W（Tc） Power33
型号：
FDMC86570LET60
仓库库存编号：
FDMC86570LET60CT-ND
别名：FDMC86570LET60CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 88nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR
详细描述：通孔 N 沟道 1.4A（Tc） 960W（Tc） TO-247HV
型号：
IXTX1R4N450HV
仓库库存编号：
IXTX1R4N450HV-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 88nC @ 10V,
不受无铅要求限制
搜索
IXYS
2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR
详细描述：通孔 N 沟道 1.4A（Tc） 190W（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
型号：
IXTF1R4N450
仓库库存编号：
IXTF1R4N450-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 88nC @ 10V,
不受无铅要求限制
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 158W（Tc） D2PAK
型号：
BUK664R6-40C,118
仓库库存编号：
1727-5526-1-ND
别名：1727-5526-1
568-7005-1
568-7005-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 88nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 25A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 278W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP25N40D-GE3
仓库库存编号：
SIHP25N40D-GE3-ND
别名：SIHP25N40DGE3
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 88nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 850V TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 179W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP11N80E-GE3
仓库库存编号：
SIHP11N80E-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 88nC @ 10V,
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
PT9 30V/16V NCH POWERTRENCH MOSF
详细描述：表面贴装 N 沟道 163A (Tc) 75W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS2D4N03S
仓库库存编号：
FDMS2D4N03S-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 88nC @ 10V,
无铅
搜索
1
2
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
